18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P68Au/TiO 2 /nSi/Au yapıların parametrelerinin incelenmesiM. Sel ve M. ÖzerGazi Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500, AnkaraMetal–yarıiletken (MS) kontakların son yıllarda elektronik ve optoelektronik sanayindeoldukça fazla miktarda kullanılır hale gelmesi araĢtırıcıları bu yapıları farklı yarıiletkenler vemateryallerle oluĢturulmaya ve parametreleri kararlı, tekrarlanabilir, performansı daha iyiyapılar olması yönünde araĢtırmalar yapmaya yöneltmiĢtir. MS yapıları hazırlama yöntemlerive Ģartları genellikle arayüzey durumlarının oluĢmasına sebep olmakta bunlar da elektroniközellikleri ve parametreleri önemli ölçüde etkilemektdir. Burada sunulan çalıĢmada, nSiyarıiletkenin mat yüzeyinde Au ile omik kontak ve parlak yüzeyi üzerinde ise önce püskürtmemetodu ile TiO 2 ince film ve onun üzerinde ise vakumda metal buharlaĢtırma metoduyla Aukullanılarak Schottky engeli oluĢturuldu. Akım–gerilim (I–V) ve sığa–gerilim (C–V)ölçümlerinden elde edilen verilerle yapılan hesaplardan yapının parametreleri belirlendi.Teşekkür: Bu çalıĢmayı destekleyen Gazi Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri (BAP 05/2011-39) venumuneleri hazırlayan Gazi Üniversitesi Yarıiletken Teknolojileri Ġleri AraĢtırma Labratuvarı Grubuna teĢekkürederiz.100
18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GaAs 1-x N x epitaksiyel tabakaların büyütülmesi ve karakterizasyonuN. Musayeva 1 , R. Jabbarov 1 , S. Abdullayeva 1 , S. Ş. Çetin 2 ,S. Özçelik 2 , T. Memmedli 2 , G. Attolini 3 , M. Bosi 3 ve B. Clerjaud 41 Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan2 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara3 IMEM, CNR, Parma, İtalya4 Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, FransaP69GaAs ve Ge alttaĢlar üzerine metal organik buhar faz büyütme (MOVPE) tekniği ilebüyütülen GaAs 1-x N x (x~%1.0-2.1) üçlü alaĢımlarının Raman saçılması ve fotolüminesans(PL) özellikleri incelendi. Yatay reaktörde kaynak olarak Trimetilgalyum (TMGa), AsH 3 veDimetilhidrazin (DMHy) kullanıldı. Numuneler DMHy ve diğer kaynaklar arasındaki molaroran değiĢtirilerek atmosferik basınçta ve 500 C sıcaklıkta büyütüldü. Büyütülen seyreltikGaAsN yapısında azotun varlığı, Raman saçılması spektrumunda yaklaĢık 470 cm –1 de azottitreĢim modunun gözlenmesi ile tespit edildi. 500 cm –1 ve 600 cm –1 arasında TO ve LObenzeri ikinci dereceden zayıf Raman pikleri gözlendi. Büyütülen numunelerin PL özellikleriincelendi. GaAs 1-x N x yapısının 77 K‟de PL pik enerjisi 1.15 eV gözlenirken, yüksekçözünürlüklü X-ıĢını kırınımı (HRXRD) tekniği ile analizi sonucu N içeriği (x) % 2.1bulundu. Ge üzerine büyütülen numunelerin PL spektrumu GaAs alttaĢ üzerine büyütülennumunelerden ölçüm sıcaklığı artıkça çok daha fazla geniĢlediği gözlendi. Ayrıcanumunelerin bazı optik parametreleri spektroskopik elipsometre ölçümleri ile belirlendi.Teşekkür: Bu çalıĢma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ileNATO tarafından desteklenmiĢtir.101