YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P81Farklı Se–Te katkı oranlarının (x=0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0) CuIn 0.7 Ga 0.3 Se 2–x Te xince filmlerinin morfolojik ve optik özellikleri üzerine etkisiS. Fiat 1 , P. Koralli 2 , İ. Polat 3 , E. Bacaksız 3 , G. Çankaya 4 ve M. Kompitsas 51 Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 60240 Tokat, Türkiye2 School of Mechanical Engineering, National Technical University of Athens, IroonPolytechniou 9 Zografu, 15780 Atina, Greece3 Karadeniz Teknik Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, 61080 Trabzon,Türkiye4 Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri Fakültesi, MalzemeMühendisliği, 06030 Ankara5 National Hellenic Research Foundation, Theoretical and Physical ChemistryInstitute, 11635 Atina, GreeceSon zamanlarda ince filmler bilim ve teknolojinin geliĢiminde çok önemli rolleroynamaktadırlar. Ġnce filmler farklı birçok malzeme üzerine nano veya mikro boyutlardakaplanarak, malzemelerin optik, mekanik ve elektriksel özeliklerini arttırabilmektedirler.Özellikle kalkopirit yapılı ve I–III–VI 2 yarıiletken ince filmler baĢta fotovoltaik uygulamalarolmak üzere birçok alanda yaygın bir Ģekilde kullanılmaktadır. Periyodik tablonun I., III. veVI. Grup elementlerin üçünün ya da daha fazlasının bir araya gelmesi ile oluĢan bu bileĢikyarıiletkenlerinin soğurum katsayıları (α = 10 4 – 10 5 cm –1 ) yüksek olup; bakır, indiyum veselenyumdan yapılan üçlü bileĢik yarı-iletkenle baĢlayan bu grup CIS güneĢ pilleri olarakisimlendirilir. Bu tür yapılarda ilk üretilen güneĢ pillerindeki soğurucu tabaka CuInSe 2 yapısıolmuĢtur. Daha sonra farklı elementler katkılanarak verim artırma çalıĢmaları yapılmıĢtır veĢuanda en çok ilgi gören yapılar Ga katkılı Cu(InGa)Se 2 (CIGS) dörtlü yapılar olmuĢtur.Bizim çalıĢmamız ise bu yapıya Te katkılayarak (x = 0.0, 0.2, 0.4, 0.6, 0,8, 1.0); Se ve Teoranlarını değiĢtirmek suretiyle optik ve yüzey özelliklerini iyileĢtirmektir. Buna istinadenfarklı oranlarda katkıladığımız Se ve Te miktarlarının filmlerin kalınlık, kırılma indisi, sönümkatsayısı, ve band aralığı üzerine etkisi incelenmiĢ olup, AFM ile nano boyutta yüzey haritasıgörüntülenmiĢtir.113