YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P64Tek kanal ve çift kanal InGaN/InN çokluyapıların kıyaslanmasıG. Atmaca, K. Elibol, G. Karakoç, C. Güneş ve S. B. LişesivdinGazi Üniversitesi Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Teknikokullar, 06500 AnkaraSon yıllarda III-nitrür yarıiletkenlerdeki son geliĢmelerin paralelinde yüksek performanslınitrür tabanlı yüksek elektron hareketlilikli transistörler (HEMT) araĢtırmaların odağı halinegelmiĢtir. Ġndiyum Nitrür tabanlı yarıiletken malzemeler, optik ve mikrodalga uygulamalarıiçin oldukça ilgi çekici ve gelecek vaad edici bir malzeme sistemleridir. InN tabanlıHEMT'lerdeki yüksek kritik elektrik alandan dolayı yüksek doyum hızının olması bu türmalzemelerin çalıĢılmasının ana nedenlerinden biridir. InN ve InGaN arasındaki örgüuyumsuzluğu nedeniyle yüksek piezoelektrik alanlar ile elde edilen yüksek taĢıyıcı yoğunluğuaygıt performansını geliĢtirici yönde etkilemektedir. n-tipi InGaN bariyerindeki vericiyoğunluğu iletkenlik bandı süreksizliğinin kontrolünde rol almaktadır. Bu çalıĢmada tek kanaln-InGaN/InN ve çift kanal n-InGaN/InN/InGaN modülasyon katkılı alan etkili transistörlerinInGaN bariyerindeki In oranının, bariyer kalınlığının ve InN tabaka kalınlığının değiĢiminintaĢıyıcı yoğunluğu üzerindeki etkilerini 1 boyutlu kendini eĢleyebilen doğrusal olmayanSchrödinger–Poisson denklemlerini çözerek modelledik. Ayrıca, tek kanal ve çift kanal InNtabanlı bu HEMT yapıları için saçılma analizlerine göre kıyaslandı.96