YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011% 0.2 Bor katkılı ZnO ince filmlerin elektriksel ve optik özelliklerininincelenmesiG. Babür 1 , G. Çankaya 2 , U. Kölemen 11 Gaziosmanpaşa Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü 60240 Tokat, TÜRKİYE2 Yıldırım Beyazıt Üniversitesi, Mühendislik ve Doğa Bilimleri FakültesiMalzeme Mühendisliği 06030 Ankara, TÜRKİYEP80Çinko oksit (ZnO) yasak band aralığı yaklaĢık 3.3 eV olan ve elektromanyetik spektrumungeniĢ bir aralığında yüksek geçirgenliğe sahip bir malzemedir. Uygun katkı malzemelerikullanarak optik, yapısal ve elektriksel özelliklerini iyileĢtirmek mümkündür. Çinko oksitucuzluğu, sağlığa zararlı olmaması ve diğer Ģeffaf iletken malzemelere alternatif olmaözelliklerinden dolayı son yıllarda yaygın olarak çalıĢılmaktadır. Katkılı ve katkısız ZnOfilmler farklı metotlarla hazırlanmaktadır. Bunların arasında sol–jel metodu geniĢ yüzeylereucuz bir maliyetle kolay uygulanabilirliği ve film kompozisyonunun kontrolünün kolaylığısebebiyle tercih edilmektedir. Bu çalıĢmada, ince film üretim tekniklerinden biri olan sol–gelspin coating tekniği kullanılarak % 0.2 Bor (B) katkılı ZnO ince filmi elde edilmiĢ olup,filmin optik ve elektriksel özellikleri incelenmiĢtir. Bunun yanında, B konsantrasyonu vetavlama sıcaklığı için taĢıyıcıdan gelen B difüzyonunun etkisi de analiz edilmiĢtir.Teşekkür: Bu çalıĢma, GaziosmanpaĢa Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri BaĢkanlığı tarafından (ProjeNo: 2011/37) desteklenmiĢtir.112