YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Çok katlı Ge,SiGe nanokristal oluĢumu ve nanokristalli metal oksit yarıiletkenkapasitör uygulamasıE. C. Kayıkcı, B. Akyazı, N. M. Gümüş, E. Yaşar, S. Ağan ve A. Aydınlı*Kırıkkale Üniversitesi, Fen-Edb. Fakültesi, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,* Bilkent Üniversitesi, Fizik Bölümü, Bilkent, AnkaraP90SiGeO içeren bir yapı yüksek sıcaklıkta tavlandığında Ge atomları bu yapıdan ayrılırlar vesistemde bir yandan oluĢmaya devam eden SiO 2 içerisinde bir araya gelerek kristal yapıyıoluĢtururlar. Bu tez de bu fikirden yararlanılarak nanokristal oluĢturulmuĢtur. Farklı gaz akıĢmiktarları, tavlama sıcaklıkları ve süreleri kullanılarak Ge naokristal oluĢumundaki değiĢimlergözlemlenmiĢtir. Amorf ince filmler Plazma ile ZenginleĢtirilmiĢ Kimyasal Buhar Depolama(PECVD) tekniği ile büyütülmüĢtür. Ardından yüksek sıcaklık fırınında tavlanaraknanokristaller elde edilmiĢtir. Kristallenme özellikleri Raman Spektroskopisi kullanılarakkontrol edilmiĢtir. Nanokristal boyutları Geçirmeli Eletron Mikroskupu (TEM) ilegözlemlenmiĢtir. Malzeme kompozisyonu ise Taramalı Elektron Mikroskobu (SEM) üzerindebulunan X ıĢını Dağılımı Spektoroskopisi (EDAX) dedektörü ile ortaya konulmuĢtur.Metal Oksit Yarıiletken Kapasitör‟ ün oksit tabakasına gömülmüĢ nanokristallerin üretilmeamacı; Ge kuantum noktalarının Ģarj tutma özellikleri incelemektir. Nanokrsitallerin Ģarjoldukları akım-voltaj (I–V) eğrilerindeki ani artıĢlarla gözlemlenmiĢtir. Ayrıca Ģarjkapasiteleri de kapasitans-voltaj eğrilerindeki histerisislerde gözlemlenmiĢtir. Histerislerdekien fazla kayma V olarak bulunmuĢtur. Omik kontak direnci ise Geçirmeli Çizgi Methodu(TLM) ile ölçülmüĢtür.122