YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011P28Katkısız ve V katkılı ZnO ince filmlerinin manyetik karakterizasyonuEmrah Sarıca, Vildan Bilgin, ve Barbaros DemirselçukFizik Bölümü, Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi, 17020, ÇanakkaleGünümüz teknolojisinde önemli bir yere sahip olan manyetik malzemeler üzerine yapılançalıĢmalar büyük ilgi çekmektedir.Bu çalıĢmada da ZnO ince filmlerinin, geçiĢelementlerinden olan ve manyetik özellik sergileyen vanadyum elementi ile katkılanmasının,filmlerin manyetik özellikleri üzerine etkisi incelenmektedir. Katkısız ve farklı oranlardavanadyum katkılı ZnO ince filmleri, ultrasonik kimyasal püskürtme tekniği kullanılarakçözelti akıĢ hızı 5ml/dk olacak Ģekilde, 400C taban sıcaklığında 30 dk süresince cam tabanlarüzerine püskürtülerek çöktürülmüĢtür. Çinko kaynağı olarak 0.1 MZn(CH 3 COO) 2·2H 2 O vevanadyum kaynağı olarak ise 0.1 M VCl 3 sulu çözeltileri kullanılmıĢtır.Üretilen tüm filmlerin manyetik özelliklerini incelemek amacıyla titreĢimli örnekmagnetometresi (VSM) kullanılarak, malzemeler üzerine uygulanan dıĢ manyetik alan etkisialtında malzemelerin mıknatıslanması incelenmiĢtir. Elde edilen histerisis eğrilerindenfaydalanılarak filmlerin, doyum manyetizasyonu, kalıcı manyetizasyon ve zorlayıcı kuvvetgibi manyetik özellikleri tespit edilmiĢtir. ZnO:V filmlerinin doyum ve kalıcı manyetizasyondeğerlerinin sırasıyla 3.40×10 –3 1.34×10 –2 emu/gr ve 1.82×10 –4 8×10 –4 emu/gr aralığındadeğiĢtiği belirlenmiĢtir.Teşekkür: Bu çalıĢma Çanakkale Onsekiz Mart Üniversitesi Bilimsel AraĢtırma Projeleri Komisyonu tarafındandesteklenmiĢtir. (Proje No: 2011/011)61