18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Si üzerine MOVPE tekniği ile büyütülen GaInPN alaĢımlarının yapısal ve optikkarakterizasyonuN. Musayeva 1 , G. Attolini 2 , M. Bosi 2 , B. Clerjaud 3 , R. Jabbarov 1 , S. Ş. Çetin 4 , S. Özçelik 4ve T. Memmedli 41 Fizik Enstitüsü, Azerbeycan Ulusal Bilim Akademisi, Bakü, Azerbaycan2 IMEM, CNR, Parma, İtalya3 Nanobilim Enstitüsü, Pierre et Marie Curie Üniversitesi, Paris, Fransa4 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP70InGaPN epitaksiyel tabakalarının Si alttaĢlar üzerine büyütülmesi; dimetilhidrazin,trimetilgalyum, trimetilindiyum ve fosfin kaynakları ile metal organik buhar faz büyütme(MOVPE) tekniği kullanılarak yapıldı. Silisyum yüzey üzerine, çoklu-bağlanma ve anti fazoluĢumları kaynaklı arayüzey problemlerini azaltmak amacıyla çok ince bir GaP tampontabaka büyütüldü. Tabakalar 46 Torr basınçta ve 630 C alttaĢ sıcaklığında hazırlandı. X-ıĢınıkırınımı deneyleri, tabakaların örgü sabitlerini ve alttaĢ ile örgü uyumsuzluklarınıdeğerlendirmek için kullanıldı. Taramalı elektron mikroskobu (TEM), tabakaların yapısalözelliklerini değerlendirmek ve kusurların varlığını değerlendirmek için kullanıldı.Numuneler fotolüminesans ve Raman saçılması ile karakterize edildi. Ortalama yüzeypürüzlülüğü, atomik kuvvet mikroskopu ile 20-30 nm olarak bulundu.Teşekkür: Bu çalıĢma CBP.EAP.CLG 983724 nolu, “Diluted Nitrides for Tandem Solar cells” isimli proje ileNATO tarafından desteklenmiĢtir.102
18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011çinko oksit yapılarının optik ve yapısal özelliklerine film kalınlığının etkisininincelenmesiS. Ş. Çetin, T. Asar, Y. Özen, G. Kurtuluş, T. Memmedli ve S. ÖzçelikFizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, AnkaraP71RF magnetron püskürtme tekniği kullanılarak, farklı kalınlıklara sahip üç tane ZnO yapısınıncam alttaĢ üzerine 200 C sıcaklıkta kaplandı. Numunelerin kristalografik yapısı X-ıĢınıkırınımı (XRD) tekniği ile incelendi. Soğurma katsayısı ve film kalınlıkları UV–Visspektrometresi ile elde edilen geçirgenlik spektrumu kullanılarak hesaplandı. Kırılma indisi(n) ve sönüm katsayısı (k) gibi optik sabitler geçirgenlik spektrumundan belirlendi. AyrıcaZnO yapılarının oda sıcaklığı fotolüminesans (PL) ve UV–Vis ölçümleri sonucu emisyon pikenerji pozisyonları karĢılaĢtırmalı olarak incelendi. Film kalınlığının optik ve yapısalözellikler üzerine etkisi tartıĢıldı.Teşekkür: Bu çalıĢma 2011K120290 nolu proje ile DPT tarafından desteklenmiĢtir.103