YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Farklı koĢullarda SiO 2 yapı içerisinde elde edilen yarıiletkennanokristallerin yapısal ve spektroskopik karakterizasyonun incelenmesiB. Şahin ve S. AğanKırıkkale Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Bölümü, Kırıkkale, Türkiye,P89ÇalıĢmamızda SiO x içerisinde Si, Ge ve SiGe yapılı ince filmlerin elde edilmesi için Plazmaile GüçlendirilmiĢ Kimyasal BuharlaĢtırma Tekniği (PECVD) tekniği kullanılmıĢtır. Filmbüyütme iĢleminde kullanılan GeH 4 , SiH 4 ve N 2 O gazlarının farklı akıĢ oranlarında farklıözeliklerde ince filmler hazırlanmıĢtır. Büyütülen bu filmler daha sonra nanokristallerinoluĢabilmesi için farklı sürelerde ısıl tavlanma iĢlemine tabi tutulmuĢtur. Farklı gaz akıĢparametresi ve farklı ısıl tavlama iĢlemlerinde elde edilen numulerin içerisinde oluĢan nanoyapıların boyut ve boyut dağılımına iliĢkin yapısal özellikleri HRTEM ve Ramanspektroskopi teknikleri yardımıyla araĢtırılmıĢtır. Film büyütme koĢulları ve farklı ısıltavlamanın yarıiletken nanokristallerin özelliklerine olan etkileri belirlenmiĢtir. Spektroskopikanalizler yardımı ile farklı gaz akıĢ oranlarında büyütülmüĢ filmlerde ve farklı sürelerdekitavlamalarda Ge nanokristallerin oluĢturulabileceği görülmüĢtür.121