YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011GaAs güneĢ hücrelerin farklı fabrikasyonlarının hücre verimine etkisiT. Asar 1 , S. Ş. Çetin 1 , G. Kurtuluş 1 , E. Pişkin 1 , H. İ. Efkere 2 ,T. Memmedli 1 ve S. Özçelik 11 Fizik Bölümü, Gazi Üniversitesi, Teknikokullar, 06500, Ankara, Türkiye2 Fizik Bölümü, Erciyes Üniversitesi, Kayseri, TürkiyeP78Bu çalıĢmada; fabrikasyon adımlarındaki değiĢimin, GaAs güneĢ hücresinin elektrikselparametrelerine (kısa devre akımı (I sc ), açık devre gerilimi (V oc ), dolum faktörü (FF), enerjidönüĢüm verimi ()) etkileri incelendi. GaAs güneĢ hücre yapısı, katı kaynaklı molekülerdemet büyütme (SSMBE) tekniği kullanılarak, n-tip, (100) yönelimli, 625 µm kalınlıklı, 3”GaAs alttaĢ üzerine, sırasıyla, 1m n-tip GaAs tampon ve 2,5 m p-tip GaAs tabaka olarakbüyütülmüĢtür. 1×1 cm 2 boyutlarındaki örneklere GüneĢ hücresi fabrikasyonu yapıldı. Ġkifarklı metalizasyon yöntemi kullanılarak, güneĢ hücresinin çıktı parametrelerindekideğiĢiklikler incelendi. Ön dairesel nokta kontaklar her iki hücre için aynı yöntemlegerçekleĢtirildi. Numunelerin arka kontak metalizasyon iĢlemlerinden biri, ön yüzeyin bellibir kısmının 4 m aĢındırılmasının ardından, aĢındırılan kısma; diğeri ise numunenin arkayüzeyinin tamamına yapıldı. Fabrikasyonları tamamlanan numunelerin oda sıcaklığında,karanlık ve ıĢık altındaki akım – gerilim (I–V) ölçümleri alındı. Ölçümler sonucunda eldeedilen verilere ait I–V grafikleri çizilerek, güneĢ hücresi çıktı parametreleri hesaplandı. Eldeedilen verilere bakıldığında, ön taraftan yapılan arka kontak metalizasyon iĢlemli hücredeenerji dönüĢüm veriminin () daha yüksek olduğu görüldü.Teşekkür : Bu çalıĢma 110T333 nolu proje ile TÜBĠTAK tarafından desteklenmiĢtir.110