YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011KatkılanmamıĢ Ga 3 InSe 4 tek kristallerinde ısıluyarılmıĢ akım ölçümleriM. Işık 1 ve N. Hasanli 21 Atılım Üniversitesi, Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü2 Orta Doğu Teknik Üniversitesi, Fizik BölümüP25KatkılanmamıĢ Ga 3 InSe 4 kristallerinde 10–300 K sıcaklık aralığında tuzak seviyeleriısıluyarılmıĢ akım ölçümleri tekniği kullanılarak incelendi. Tuzak seviyeleri çalıĢmasındaölçümler, akımın kristalin c-ekseni doğrultusunda akması sağlanarak gerçekleĢtirildi. Deneysüresince 0.8 K/s sabit ısıtma hızı kullanıldı. Deneysel veriler aktivasyon enerjisi 62 meV olanbir deĢik merkezinin bulunduğunu gösterdi. Elde edilen akım–sıcaklık eğrisinin analizi, yavaĢgeri tuzaklanmaya dayalı teorik modele uyumluluk gösterdi. ÇalıĢılan kristallere büyütmesüresince herhangi bir katkılanma uygulanmadığından dolayı, gözlemlenen bu tuzakmerkezinin büyütme sırasında ortaya çıkan kusurlardan veya kasıtlı olarak eklenmeyensafsızlıklardan kaynaklandığı düĢünülmektedir. Tuzak merkezinin yakalama kesit alanı 1.0 10 –25 cm 2 ve yoğunluğu ise 1.4 10 17 cm –3 olarak hesaplandı.57