YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

More documents

Recommendations

Info

18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011Kuantum noktalarda ‟ de spin droplet oluĢumuH. Atcı 1,2,3 , E. Räsänen 2 , U. Erkarslan 1 , ve A. Sıddıki 3,41Muğla Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 48170-Kötekli-Muğla, Türkiye2 Jyväskylä Üniversitesi, Nano Bilim Merkezi, Fizik Bölümü, FI-40014-Jyväskylä, Finlandiya3 İstanbul Üniversitesi, Fen Fakültesi, Fizik Bölümü, 34134-Vezneciler-İstanbul, Türkiye4 Harvard Üniversitesi, Fizik Bölümü, MA-02138-Cambridge, ABDP82Kuantum noktalarda doldurma faktörü 5/2 durumu, doldurma faktörü 2 olan spinlerinçiftlenmiĢ olduğu tam dolu en düĢük Landau seviyesi (0LL) ve spin droplet yardımıylaaçıklanan doldurma faktörü 1/2 spin-polarize yarım dolu bir sonraki Landau seviyesinin(1LL) karıĢımını içerir. Spin droplet oluĢumu, kollektif etkileĢen elektronlar olgusudur vekuantum noktalarda toplam elektron sayısı yeterince fazla olduğunda meydana gelmektedir.Bu çalıĢmada, iki boyutlu yarı iletken kuantum noktalar doldurma faktörü 2 v 5/ 2aralığında nümerik çok elektron metotları kullanılarak spin droplet oluĢumu incelenmiĢtir.114
18. Yoğun Madde Fiziği – Ankara Toplantısı, Orta Doğu Teknik Üniversitesi, 25 Kasım 2011c-Si/a-Si:H heteroeklemlerinin üretilmesi ve optoelektronik özelliklerininincelenmesiG. Başer ve A. BacıoğluHacettepe Üniversitesi, Fizik Mühendisliği Bölümü, Beytepe, 06800, Ankara.P83PECVD sisteminde, silan (SiH 4 ) gazının RF plazması kullanılarak, hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum(a-Si:H) ve silan-azot karıĢımının plazması kullanarak hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum-azot alaĢımı(a-SiN x :H) ince filmler Corning 7059 alttaĢlar üzerine büyütülerek, optik ve elektrikselkarakterizasyonları yapılmıĢtır. Daha sonra, a-Si:H ve a-SiN x :H tek katman örneklerin p tipi kristalsilisyum alttaĢ üzerine büyütülmesiyle c-Si/a-Si:H heteroeklemleri üretilmiĢtir. a-Si:H ince filmler,PECVD sisteminde, vakum odası basıncı 200 mTorr, SiH 4 gaz akıĢ hızı 10 sccm ve alttaĢ sıcaklığı 300°C değerlerinde sabit tutularak, RF güç yoğunluğu 16±3 mW/cm 2 ile 31±3 mW/cm 2 arasındadeğiĢtirilerek üretilmiĢtir. Elektriksel ve optik özellikleri, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlik, optikgeçirgenlik ve sabit fotoakım yöntemi (CPM) deneyleri ile incelenen bu örneklerin en düĢük kopukbağ yoğunluğuna sahip hazırlama koĢulları hidrojenlendirilmiĢ amorf silisyum-azot (a-SiN x :H) incefilmlerin üretiminde temel alınmıĢtır. Aynı hazırlama koĢulları kullanılan a-SiN x :H ince filmlerde,reaktöre giren gaz akıĢ oranı r (=F N2 /( F N2 + F SiH4 )), 0,09 ile 0,50 arasında ayarlanarak değiĢtirilmiĢtir.Tüm a-SiN x :H filmlerin karakterizasyonunda da optik geçirgenlik, sıcaklığa bağlı karanlık iletkenlikve sabit fotoakım yöntemi (CPM) ölçüleri kullanılmıĢtır. DüĢük kopuk bağ kusur yoğunluğuna veyüksek iletkenliğe sahip a-SiN x :H örneğin hazırlama koĢulları c-Si/a-SiN x :H ve c-Si/a-Si:H/a-SiN x :Hyapıdaki heteroeklemlerin üretiminde kullanılmıĢtır.Heteroeklem üretiminde kullanılacak katmanların karakterizasyonundan sonra, temizliği ve alt kontağıatılan p tipi kristal silisyum alttaĢ üzerine ~10 nm kalınlığında a-SiN x :H tek-katman, RF plazmabiriktirme sisteminde büyütülmüĢtür. Ġnce film üretildikten sonra ısıl buharlaĢtırma sisteminde üstkontaklar atılmıĢtır. Karanlık ve aydınlatma altında J–V ölçümleri yapılmıĢtır. Karanlık J–Veğrisinden p tipi kristal silisyum üzerine büyütülen a-SiN x :H katmanın n tipi gibi davranıĢ sergilediği,üretilen aygıtın bir p–n eklem gibi karanlık J–V eğrisi verdiği gözlenmiĢtir. Karanlık J–Völçümlerinden, seri direnç R S = 650 Ω ve paralel direnç R P = 46 kΩ olarak hesaplanmıĢtır. ġiddeti 80mW/cm 2 olan kuartz halojen lamba aydınlatması altında alınan J–V verisinden ise açık devre gerilim(V ad ), kısa devre akım yoğunluğu (J kd ),doluluk oranı (FF) ve verim, sırasıyla, 0,40 V, 0,50 mA/cm 2 ,%7,1, ve %0,1 olarak hesaplanmıĢtır. DıĢ toplama verimliliği (external collection efficiency-ECE) vetayfsal duyarlılık (spectral response-SR) ölçümleri yapılmıĢtır. 600 nm–700 nm dalgaboyu aralığındakuantum verimliliğinin en büyük değer olan 0,002 ve SR ise 750 nm civarında en büyük değeri olan1,2 mA/W‟a ulaĢmıĢtır. c-Si/a-SiN x :H heteroeklemlerine, farklı kalınlıklarda a-Si:H katman eklenerekc-Si/a-Si:H/a-SiN x :H heteroeklemler üretilmiĢtir. 200 nm, 300 nm ve 500 nm a-Si:H katmankalınlığına sahip bu heteroeklemlerin karakterizasyonu için J–V eğrileri, ECE, SR eğrilerindenyararlanılmıĢtır. En büyük V ad ve J kd değerleri, 500 nm i-tabaka kalınlığına sahip örnekte, 0,42 V ve0,34 mA/cm 2 olarak ölçülmüĢtür. En büyük verim ise yine aynı örnekte %0,04 olarak hesaplanmıĢtır.115
Page 1 and 2:
18. Yoğun Madde Fiziği - Ankara T
Page 3 and 4:
Page 5:
Page 8 and 9:
Page 10 and 11:
Page 12 and 13:
Page 14 and 15:
Page 16 and 17:
Page 18 and 19:
Page 20 and 21:
Page 22 and 23:
Page 24 and 25:
Page 26 and 27:
Page 28 and 29:
Page 30 and 31:
Page 32 and 33:
Page 34 and 35:
Page 36 and 37:
Page 38 and 39:
Page 40 and 41:
Page 42 and 43:
Page 44 and 45:
Page 46 and 47:
Page 48 and 49:
Page 50 and 51:
Page 52 and 53:
Page 54 and 55:
Page 56 and 57:
Page 58 and 59:
Page 60 and 61:
Page 62 and 63:
Page 64 and 65: 18. Yoğun Madde Fiziği - Ankara T
Page 154: 18. Yoğun Madde Fiziği - Ankara T
show all

YMF18 özet kitapçığı - Department of Physics

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

Delete template?

Save as template?