reverse-engineering von logik-gattern in integrierten ... - Degate
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6.3. AUFBAU VON LOGIK-GATTERN<br />
Die Transistoren überträgt man auf e<strong>in</strong> Blatt Papier. Für jeden Transistor s<strong>in</strong>d die Lei-<br />
terbahnen zu verfolgen und <strong>in</strong> die Zeichnung zu übertragen. Für das Abzeichnen ist es<br />
empfehlenswert, die Transistoren wie im physischen Gatter anzuordnen und die Ga-<br />
tes zur Mitte h<strong>in</strong> zu zeichnen. Anderenfalls hat man schnell zahlreiche unübersichtlich<br />
gekreuzte Leiterbahnen. Abbildung 6.10 zeigt den zu 6.9 gehörenden Schaltplan.<br />
Beim Übertragen der Leiterbahnen aufs Papier werden sich durchaus Fehler e<strong>in</strong>schlei-<br />
chen. Dann hilft es, nach offenen Transistoranschlüssen zu suchen. Durchkontaktierun-<br />
gen kann man anhand ihres punktförmigen Aussehens erkennen. Wenn man vermutet,<br />
dass zwei übere<strong>in</strong>ander liegende Leiterbahnen elektrisch verbunden s<strong>in</strong>d, dann muss es<br />
e<strong>in</strong>e Durchkontaktierung geben. Weitere Fehler f<strong>in</strong>det man evtl. bei der späteren Ana-<br />
lyse. Wenn die Verschaltung mehrerer Transistorpaare ke<strong>in</strong>en S<strong>in</strong>n ergibt oder zu viele<br />
Transistoren effektiv nicht benutzt werden, lohnt sich e<strong>in</strong> erneuter Blick <strong>in</strong> das Aus-<br />
gangsbild. Es ist möglich, dass nicht alle Transistoren e<strong>in</strong>es Gatters verwendet werden.<br />
So werden beispielsweise die Transistoren P14,P15,N14 und N15 hier im Gatter nicht<br />
verwendet.<br />
Die E<strong>in</strong>- und Ausgänge des Gatters s<strong>in</strong>d e<strong>in</strong>fach zu f<strong>in</strong>den. In Abbildung 6.9 (mit-<br />
te) s<strong>in</strong>d das die beiden senkrechten Striche, die <strong>von</strong> außen kommen und etwa bis zu<br />
Bildmitte verlaufen (blaue Färbung <strong>in</strong> der PDF-Version). 3 Im allgeme<strong>in</strong>en Fall f<strong>in</strong>det<br />
man auf der Schicht M1 entsprechende Durchkontaktierungen und auf den darüberlie-<br />
genden Verb<strong>in</strong>dungslayern Leiterbahnen, die auf diese Kontakte geschaltet s<strong>in</strong>d. Wenn<br />
e<strong>in</strong>e Verb<strong>in</strong>dung <strong>von</strong> außerhalb mit e<strong>in</strong>em Gate verbunden ist, muss es sich um e<strong>in</strong>en<br />
E<strong>in</strong>gang handeln. Wenn Verb<strong>in</strong>dungen, die <strong>von</strong> e<strong>in</strong>em Source oder Dra<strong>in</strong> stammen <strong>in</strong><br />
die Außenwelt des Gatters gerichtet s<strong>in</strong>d, muss es sich um e<strong>in</strong>en Gatterausgang han-<br />
deln. Folglich s<strong>in</strong>d die Anschlüsse A, B und C <strong>in</strong> Abbildung 6.10 E<strong>in</strong>gänge und X der<br />
Ausgang.<br />
3 Das Bild wurde mit e<strong>in</strong>em Konfokalmikroskop aufgenommen, das verschiedenen Tiefen im Untersuchungsobjekt<br />
verschiedene Farben zuordnet.<br />
Mart<strong>in</strong> Schobert 28