reverse-engineering von logik-gattern in integrierten ... - Degate
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6.4. WIEDERVERWENDUNG VON LOGIK-GATTERN<br />
bereits e<strong>in</strong>en Halbaddierer <strong>in</strong> Gänze be<strong>in</strong>haltet und sich das auf dem Chip als eigen-<br />
ständiges Gatter widerspiegelt. Ferner ist es möglich, dass diese Maskenbibliotheken<br />
ganze Allzweck-CPUs oder speziell für die Signalverarbeitung geeignete Rechenwer-<br />
ke be<strong>in</strong>halten. Das ist jedoch eher e<strong>in</strong> Sonderfall.<br />
Die Wiederverwendung <strong>von</strong> Grundbauste<strong>in</strong>en ermöglicht beim Reverse-Eng<strong>in</strong>eer<strong>in</strong>g<br />
folgende Vere<strong>in</strong>fachung. Wenn man e<strong>in</strong> Gatter aus der Bibliothek bereits erkannt hat,<br />
ist es e<strong>in</strong>facher, diesen Gattertyp auf dem Chip wiederzuf<strong>in</strong>den, als die Bedeutung aller<br />
Transistoren e<strong>in</strong>zeln zu ermitteln.<br />
Abbildung 6.14: Wiederf<strong>in</strong>den markanter Muster (Chip: Mifare Classic).<br />
Die dafür geeigneten Muster s<strong>in</strong>d auf der Schicht M1 und auf dem Transistor-Layer.<br />
Meist ist M1 e<strong>in</strong>facher auszuwerten. Man sucht nach Mustern im Verdrahtungsge-<br />
flecht, die man an anderen Stellen auf dem Chip f<strong>in</strong>det. Wenn man e<strong>in</strong> wiederkeh-<br />
rendes Muster identifiziert hat, beispielsweise der <strong>in</strong> Abbildung 6.14 mit Rechtecken<br />
hervorgehobene „Haken“, vergleicht man die verschiedenen Instanzen, um e<strong>in</strong>en ma-<br />
ximal konstanten Bildbereich zu f<strong>in</strong>den. Die platzierten Gatter gehen nahtlos <strong>in</strong>e<strong>in</strong>-<br />
ander über, ohne dass e<strong>in</strong>e def<strong>in</strong>ierte Abgrenzung vorhanden ist. Vergleicht man die<br />
Mart<strong>in</strong> Schobert 32