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Der Photomischdetektor zur schnellen 3D-Vermessung für ...

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2 Modellierung des <strong>Photomischdetektor</strong>s<br />

2.1.3 Signalverarbeitung<br />

Im Rahmen der Modellierung der Signalverarbeitung im PMD-Gesamtsystem werden<br />

einerseits Rauscheffekte berücksichtigt und andererseits die AD-Wandlung in Verbindung<br />

mit der <strong>für</strong> die Auswertung notwendigen Differenzbildung der Auslesesignale umgesetzt.<br />

Rauscheffekte<br />

Nach [Hupp00] kann sowohl das Photonenrauschen, welches die statistische Generierung<br />

der Ladungsträger in der photosensitiven Schicht des PMD-Chips beschreibt als<br />

auch das Schrotrauschen, das durch die statistische Natur des Ladungstransports im<br />

Halbleiter entsteht, durch die Poisson-Verteilung berücksichtigt werden. Damit lässt<br />

sich die rauschbehaftete Zahl der auf den Kapazitäten integrierten Ladungsträger als<br />

diskrete, poissonverteilte Zufallsgröße Pµ(k) mit Erwartungswert µ modellieren.<br />

Pµ(k) =e −µ · µk<br />

,k∈ N0<br />

(2.18)<br />

k!<br />

Für große Elektronenzahlen kann diese diskrete Wahrscheinlichkeitsverteilung hinreichend<br />

gut über die kontinuierliche Normalverteilung angenähert werden<br />

Pµ,σ(x) = 1<br />

σ √ 2π exp<br />

�<br />

− 1 (x − µ)<br />

2<br />

2<br />

σ2 �<br />

, (2.19)<br />

wobei der Erwartungswert µ bzw. die Standardabweichung σ der Zufallsgröße x wie<br />

folgt definiert sind:<br />

µ = 1<br />

n<br />

n�<br />

xi<br />

i=1<br />

(2.20)<br />

�<br />

�<br />

�<br />

σ = � 1<br />

n�<br />

(xi − µ)<br />

n − 1 i=1<br />

2 (2.21)<br />

Die Wahrscheinlichkeitsverteilung Pµ,σ(x) beschreibt das poissonverteilte Rauschen um<br />

die mittlere Elektronenzahl µ = ¯ N hinreichend gut, wenn die Standardabweichung der<br />

Bedingung<br />

σ = √ ¯ N (2.22)<br />

genügt. <strong>Der</strong> somit resultierende Verlauf der Wahrscheinlichkeitsverteilung Pµ,σ(x) ist<br />

exemplarisch <strong>für</strong> ¯ N = 1000 in der Abbildung 2.5 geplottet.<br />

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