INTRODUCTION AUX MICRO ONDES

A la figure 16, on a représenté l'allure de la capacité de transition en fonction de la
tension appliquée à la jonction.
Figure 16: allure de la capacité de transition
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7.5. Remarque
Dans les diodes dites VARICAP, on utilise la propriété de variation de la capacité de
transition en fonction de la tension moyenne appliquée. On a recours à de tels
éléments en radio, par exemple, pour réaliser des circuits oscillants dont la
fréquence de résonance est réglée au moyen d'une tension.
8. DIODES SPECIALES
8.1. Diode PIN
La figure 17 montre la structure schématisée d’une diode PIN réalisée en technologie mesa.
C’est une jonction PN ayant une zone intrinsèque (zone I) entre les couches P et N : en
pratique, cette zone est une zone à haute résistivité de type P (zone p) ou de type N (zone
?), de telle sorte que l’on a une diode PpN ou P?N.
Wi
Figure 17 – Structure d’une diode PIN
Cette structure est identique à celle des PIN utilisées en électronique de puissance en tant
que redresseurs (bonne tenue en tension) ; cependant, la propriété que l’on exploite en
hyperfréquence est totalement différente.
Par rapport à la diode P + N, la diode PIN possède une région centrale (WI) où le champ
électrique est constant. En l'absence de polarisation le champ électrique est trapézoïdal. La
hauteur de la barrière de potentiel est plus grande que dans une diode PIN (Figure 18).