INTRODUCTION AUX MICRO ONDES
INTRODUCTION AUX MICRO ONDES
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Figure 4a : Lieux des coefficients de réflexionΓ 1,<br />
présentés par la source qui rendent<br />
la sortie critique<br />
Figure 4b : Lieux des coefficients de réflexionΓ 2 , présentés par la charge, qui<br />
rendent l'entrée critique<br />
Pour le transistor supposé unilatéralisé nous avons calculé en fonction de la<br />
fréquence le gain de transfert maximum en puissance GTUmax qui est la somme des<br />
trois contributions entrée, transistor et sortie. Ce gain est comparé, lorsque |K| > 1, à<br />
GTmax (équation (11) et (12)). Les résultats sont regroupés ci-dessous. Les différents<br />
gains sont exprimés en décibels.
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