INTRODUCTION AUX MICRO ONDES
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Leçon 3 : LES CIRCUITS <strong>MICRO</strong>-<strong>ONDES</strong><br />
I. Théorie de conception des amplificateurs<br />
La figure 1 illustre la structure générale d'un amplificateur. Elle comprend un<br />
dispositif actif (en général un transistor), caractérisée par ses paramètres S et<br />
entouré de part et d'autre par des réseaux d'adaptation d'impédance. L'étude de ce<br />
schéma nous permet de déterminer les grandeurs importantes permettant de<br />
caractériser un amplificateur, notamment, le gain, le facteur de bruit, la stabilité.<br />
Figure 1 : Configuration générale d'un amplificateur<br />
I.1. Gain dans un amplificateur<br />
I.1.1. Gain de transfert<br />
Le gain de transfert ou encore gain transduscique correspond au rapport entre<br />
la puissance délivrée à la charge PL et la puissance disponible d'une source PAVS.<br />
2<br />
2<br />
1−<br />
ΓS<br />
1−<br />
Γ<br />
2 L<br />
(1)<br />
GT<br />
= S 2 21<br />
= G 2 1G0G2<br />
1−<br />
S Γ 1−<br />
Γ Γ<br />
Avec :<br />
G =<br />
0<br />
S<br />
21<br />
2<br />
11<br />
1−<br />
Γ<br />
G1<br />
=<br />
1−<br />
S<br />
G<br />
2<br />
S<br />
2<br />
S<br />
2<br />
11ΓS<br />
2<br />
1−<br />
ΓL<br />
=<br />
1−<br />
Γ Γ<br />
out<br />
L<br />
2<br />
out<br />
L<br />
Γ est le coefficient de réflexion à la sortie du quadripôle lorsque celui-ci est<br />
out<br />
terminé par une impédance ZS correspondant au coefficient de réflexion S<br />
coefficients sont donnés par :<br />
S12S21ΓL<br />
Γin<br />
= S11<br />
+<br />
1−<br />
S Γ<br />
22<br />
L<br />
Γ . Ces<br />
(2)
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