INTRODUCTION AUX MICRO ONDES
INTRODUCTION AUX MICRO ONDES
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En première approximation nous pouvons considérer que la capacité CGS est<br />
quasiment indépendante de la tension de drain. Dans cette hypothèse, la capacité<br />
CGS ne dépend alors que de la tension présente à ses bornes.<br />
Le modèle que nous avons choisi est le modèle non-linéaire d'Alaoui comportant<br />
6 paramètres. Le modèle de la capacité d'Alaoui est décrit par les équations cidessous<br />
:<br />
∂Veff<br />
⎛ Veff<br />
⎞<br />
C GS = CGS<br />
+ C<br />
V ⎜<br />
GS V ⎟<br />
0 1 −<br />
∂ ⎝ B ⎠<br />
n+1<br />
V ⎛ V<br />
B<br />
eff ⎞<br />
Q GS = −CGS<br />
+<br />
N ⎜ −<br />
V ⎟<br />
0 1<br />
+ 1 B<br />
D’où<br />
d − d<br />
Veff<br />
=<br />
2<br />
Avec :<br />
V<br />
+<br />
⎝<br />
+ V<br />
2<br />
1 2 T B<br />
2<br />
( V −V<br />
) + D<br />
d1 = GS B<br />
2<br />
( V −V<br />
) − D<br />
d2 = GS B<br />
n<br />
⎠<br />
B<br />
C V<br />
B<br />
GS<br />
Tableau V-2 : Exemple de valeurs des éléments constitutif de la capacité non-linéaire CGS<br />
CGS0 CB VB VT D N<br />
5.55 10-12 5.55 10-12 8.03 -9.79 -6.98 -1.57<br />
Tableau V-3 : Exemple de valeurs des éléments extrinsèques d’un transistor SiC<br />
RG(O) LG(pH) CPG(fF) RS(O) LS(pH) RD(O) LD(pH) CPD(fF)<br />
3.25 981 512 6.55 650 5.9 178 107<br />
Tableau V-4 : Exemple de valeurs des éléments intrinsèques d’un transistor SiC<br />
RI(O) RGD(O) CGD(fF) CDS(fF)<br />
0.01 147.9 127 509
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