INTRODUCTION AUX MICRO ONDES
INTRODUCTION AUX MICRO ONDES
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1/td = f = 1/ t0 avec t0 = ε /(qND μ 0) - (constante de temps diélectrique à faibles<br />
champs) (70 GHz : GaAs).<br />
En effet, si la période d’excitation sinusoïdale devient plus faible que t0, le<br />
porteurs n’ont plus le temps de transiter d’une vallée à une.<br />
8.4. Diode IMPATT<br />
La diode IMPATT (Figure 26 - IMPact ionization Avalanche Transit-Time) est une diode de<br />
puissance utilisée comme composant électronique hautes fréquences et micro-onde.<br />
Cette diode utilisée pour des fréquences allant de 3 à 100 GHz. Ces diodes sont utilisées<br />
dans plusieurs applications des radars faible puissance aux alarmes. Leur inconvénient<br />
majeur est qu’ils génèrent des bruits de phase d’un niveau non négligeable. Ce résultat<br />
provient de la nature statistique de la procédure d’avalanche. Ces diodes sont d’excellents<br />
générateurs micro-ondes pour plusieurs applications.<br />
Figure 26 : Diode Impatt<br />
8.5. Diode BARITT<br />
C’est une diode qui nécessite une faible puissance d’alimentation et qui trouve son<br />
application dans les oscillateurs locaux pour un système de communication et pour récepteur<br />
radar.
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