INTRODUCTION AUX MICRO ONDES

Figure III-5 : Réseau de caractéristiques mesurés IDS = f (VDS) à VGS = C ste
Polarisation VDS0 = 40V, VGS0 = -6.5V et IDS0 = 145mA
Description de la zone linéaire
Cette zone est également appelée zone ohmique qui correspond à une évolution
quasi-linéaire du courant de drain (IDS) pour de faibles valeurs de la tension drain
source (VDS). En effet, pour de faibles valeurs de la tension de drain, le canal reste
de section sensiblement uniforme sous la grille. Le transistor est alors assimilable à
une résistance variable dont la valeur est contrôlée par la tension de grille. Le
courant varie proportionnellement à V DS. Certaines applications telles que les
mélangeurs ou les déphaseurs nécessitent en général ce régime de fonctionnement
linéaire ou le transistor est polarisé à froid (VDS = 0).
Description de la zone saturée
Avec l'accroissement de la tension de drain, la section de la zone dépeuplée
(zone de charge d'espace) commence à se déformer en devenant beaucoup plus
importante côté drain que côté source. Ce resserrement du canal provoque un
ralentissement de la croissance du courant de drain. Arrivé à un certain stade,
l'augmentation de la tension V DS n'a quasiment plus aucune influence sur le courant.
On nomme le courant de saturation (IDSS), lorsque le courant de drain (IDS) du
transistor commence à rentrer dans la zone de saturation pour une tension de
polarisation de grille VGS nulle.
IV. Polarisation du transistor
Le diagramme du circuit de polarisation est représenté à la Figure IV.6. Les valeurs
des résistances sont calculées en tenant compte du courant de grille désiré (IG = 0)
du courant de drain désiré (IDS), de la tension de polarisation (VDS) et de la tension
grille-source VGS de la façon suivante :
VG
− V
RS
=
I
DS
GS