INTRODUCTION AUX MICRO ONDES

point T sur la figure 11.
Ces considérations dérivées de l'étude d'un oscillateur à partir du HXTR 4101
ne doivent pas faire oublier qu'il existe une autre configuration que l'on rencontrera
en pratique.
Réalisation utilisant un transistor pour lequel Δ > |S22|. Il s'agit du LAE 2001
R. Dans la plage de fréquences centrée sur 1.9 GHz nous intéressant, ce transistor
est inconditionnellement stable, que ce soit en base commune ou en émetteur
commun. Cependant le fait de placer une capacité de faible valeur (1 picofarad)
entre collecteur et base du montage E.C. nous a permis de créer artificiellement une
zone de fonctionnement instable. En effet, passant du plan mesure au plan maquette
on a obtenu à 1.9 GHz les valeurs suivantes :
S11 = 0.47315|-37°
S22 = 0.1122|87°
S21 = 1.2589|-117°
S12 = 0.5309|-74°
d'où Δ = 0.6956|-7.2° et on déduit donc :
K = 0.9332 < 1 ; Δ > I S22 I
Les cercles paramétrés en valeurs de k ont été représentés sur la figure 12 où
l'on remarquera les cercles critiques d'instabilité (k = 1) et tangentiel d'instabilité (k =
kt).
Figure 12 : Coefficient de réflexion Γ L de la charge déduit du cercle tangentiel
d’instabilité, cas où Δ > |S22|.