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I Congresso de Iniciação Científica e Pós-Graduação –Florianópolis (SC) –setembro 2010
HIDROFOBICIDADE DE FILMES FINOS: MODIFICAÇÃO INDUZIDA POR UV E
POR BOMBARDEAMENTO IÔNICO 1
Bruno Estevam Ramos 2 , André Luiz de Oliveira 3 , Leandro L. Ferreira 4 , José Fernando Fragalli 5 ,
Ricardo de S. Zanon 5 , Mônica de Mesquita Lacerda 5
Palavras-chave: Hidrofobicidade – Radiação gama – ultra-violeta de vácuo – MEV - EDX.
Este trabalho consiste no desenvolvimento, modificação induzida e análise de filmes de silício
amorfo hidrogenado (a-Si:H) crescidos pela técnica de deposição química na fase vapor assistida por
plasma (PACVD). Para realizar as modificações induzidas dois grupos de filmes crescidos sobre
substratos de aço, vidro e silício mono cristalino foram expostos à radiação. O primeiro grupo de
amostras foi exposto a radiação gama de uma fonte de 226 Ra durante 5, 10, 15, 20, 25 e 30 minutos
sucessivamente. O segundo grupo foi exposto à radiação ultra-violeta de vácuo (VUV) (exposição
feita em Campinas no LNLS) em intervalos de 15 e 30 minutos. Após a exposição das amostras, aos
dois tipos de radiação, foi possível caracterizar o grau de hidrofobicidade medindo-se o ângulo de
contato entre uma gota de água e a superfície dos filmes. Os resultados mostram os filmes de a-Si:H
são hidrofílicos e que a radiação gama promove um efeito permanente nos filmes, diferente da
radiação VUV. Também, por meio da Microscopia eletrônica de varredura (MEV) associada à
espectroscopia por dispersão de raio-x (EDX) análises estrutural e elemental das amostras mostram
que filmes finos de silício amorfo são transparentes, quando depositados sobre aço..
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1 Projeto de Pesquisa CCT/UDESC.
2 Acadêmico do Curso de Licenciatura em Física – CCT/UDESC, bolsista de iniciação científica do
PIBIC/CNPq.
3 Orientador, Professor do Departamento de Física – Centro de Ciências Tecnológicas – Campus
Universitário - CEP 88223-100 - Joinville - SC.
4 Acadêmico do Curso de Pós-graduação em Física – CCT/UDESC.
5 Professores CCT/UDESC.