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3-2021

Fachzeitschrift für Hochfrequenz- und Mikrowellentechnik

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Bauelemente<br />

SP6T-Switch-Matrix für Signale von 0 bis 50 GHz<br />

Das Modell RC-1SP6T-50 von Mini-Circuits<br />

ist eine einpolige elektromechanische<br />

Sechspositions-Schaltmatrix (SP6T) mit<br />

einem weiten Frequenzbereich von DC bis<br />

50 GHz. Sie wurde für eine Lebensdauer<br />

von mehr als 2 Mio. Schaltzyklen pro<br />

Schalterposition entwickelt und ist in einer<br />

ausfallsicheren Konfiguration ohne Unterbrechung<br />

konzipiert, die sich ideal für<br />

automatisierte Testanwendungen eignet.<br />

Die Schaltmatrix ist gut auf 50 Ohm mit<br />

einem typischen SWR von 1,3 bis 40 GHz<br />

und 1,6 bis 50 GHz abgestimmt. Sie weist<br />

über die gesamte Bandbreite einen geringen<br />

Verlust auf: 0,2 dB oder weniger von<br />

DC bis 26,5 GHz und 0,4 dB oder weniger<br />

bis 50 GHz. Die Isolation zwischen den<br />

Ports ist hoch mit mindestens 85 dB von<br />

DC bis 26,5 GHz und mindestens 75 dB<br />

bis 50 GHz. Die absorbierende Schaltmatrix<br />

hat eine Schaltgeschwindigkeit von<br />

50 ms und ist für einen Betriebstemperaturbereich<br />

von 0 bis 40 °C ausgelegt. Sie<br />

verarbeitet Kaltschalt-Eingangsleistungen<br />

von 20 W bis 18 GHz, 10 W bis 26,5 GHz<br />

und 3 W bis 50 GHz.<br />

Verwendet wurde ein kompaktes Metallgehäuse<br />

von 5,5 × 6,0 × 2,75 Zoll mit<br />

2,4-mm-HF-Buchsen und USB- und RJ45-<br />

Ethernet/LAN-Schnittstellen für die Computersteuerung.<br />

Die RoHS-kompatible<br />

Switch-Matrix wird mit vollständiger Softwareunterstützung<br />

geliefert, einschließlich<br />

einer benutzerfreundlichen grafischen<br />

Benutzeroberfläche (GUI) für Microsoft<br />

Windows und einem vollständigen API<br />

(Application Programming Interface) für<br />

Windows und Linux.<br />

■ Mini-Circuits<br />

sales@minicircuits.com<br />

www.minicircuits.com<br />

Miniatur-MMIC-Vorspannungs-T-Glied<br />

für<br />

1,5 bis 28 GHz<br />

Das Modell MBT-283 + von<br />

Mini-Circuits ist ein MMIC-<br />

Bias-T-Glied mit 50 Ohm Impedanz<br />

und Frequenzen von 1,5 bis<br />

28 GHz sowie der Fähigkeit, bis<br />

zu 500 mA Gleichstrom und 1 W<br />

(30 dBm) HF-Leistung zu verarbeiten.<br />

Es eignet sich gut zum<br />

Versorgen von aktiven Antennen,<br />

Verstärkern, Laserdioden und<br />

anderen aktiven Komponenten<br />

und Geräten und bietet einen<br />

geringen Verlust und eine hohe<br />

Isolation zwischen den Ports.<br />

Der typische Einfügungsverlust<br />

beträgt 0,7 dB von 1,5 bis<br />

25 GHz und 1 dB oder weniger<br />

CelsiStrip ®<br />

Thermoetikette registriert<br />

Maximalwerte durch<br />

Dauerschwärzung.<br />

Bereich von +40 ... +260°C<br />

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von 25 bis 28 GHz, der typische<br />

Rückflussverlust beträgt 19 dB<br />

von 1,5 bis 10 GHz, 21 dB von<br />

10 bis 20 GHz und 14 dB oder<br />

mehr von 20 bis 28 GHz. Die<br />

Isolation zwischen den Ports<br />

beträgt typischerweise 57 dB<br />

von 1,5 bis 10 GHz und 47 dB<br />

oder besser von 10 bis 28 GHz.<br />

Das zum Patent angemeldete<br />

RoHS-konforme Bias-T-<br />

Stück wird mit einem winzigen<br />

16-poligen MCLP-Gehäuse<br />

mit einer Größe von nur 3,5 ×<br />

2,5 mm geliefert und hat einen<br />

Gleichstromwiderstand von 2,7<br />

Ohm von seinen DC- und RF-<br />

Ports bis zum kombinierten DC/<br />

RF-Port. Es ist für Spannungen<br />

bis 25 V und Betriebstemperaturen<br />

von -40 bis +85 °C ausgelegt.<br />

Richtkoppler<br />

überwacht<br />

Leistungsfluss im<br />

Bereich 40 bis 65 GHz<br />

Der Breitband-Richtkoppler<br />

ZCDC10-E40653+ von Mini-<br />

Circuits bietet eine hohe Richtwirkung<br />

bei ausgezeichneter<br />

Kopplungsebenheit von 40<br />

bis 65 GHz. Die Richtwirkung<br />

beträgt typischerweise 19 dB<br />

von 40 bis 50 GHz und typischerweise<br />

17,9 dB von 50 bis<br />

65 GHz mit einer 10-dB-Kopplung<br />

innerhalb von ±0,4 dB<br />

über den gesamten Frequenzbereich.<br />

Der Einfügungsverlust<br />

der Hauptleitung (einschließlich<br />

des Kopplungsverlusts) beträgt<br />

typischerweise 1,4 dB von 40<br />

bis 50 GHz und 1,7 dB von 50<br />

bis 65 GHz. Die Eingangs- und<br />

Ausgangs-Rückflussdämpfung<br />

beträgt typischerweise 21,1 dB<br />

von 40 bis 50 GHz und 22,6 dB<br />

von 50 bis 65 GHz.<br />

Der RoHS-konforme Richtkoppler<br />

kann bis zu 300 mA Gleichstrom<br />

von Eingang zu Ausgang<br />

leiten und über den gesamten<br />

Frequenzbereich bis zu 12 W<br />

HF-Eingangsleistung verarbeiten.<br />

Der 50-Ohm-Richtkoppler<br />

eignet sich gut zum Testen und<br />

Überwachen von Millimeterwellen-Signalleistungspegeln.<br />

Er misst 31,75 × 16 × 12,7 mm<br />

(1,25 × 0,63 × 0,5 Zoll) bei<br />

robustem Metallgehäuse und<br />

wird mit 1,85-mm-Buchsen<br />

geliefert. Der Koppler hat einen<br />

Betriebstemperaturbereich von<br />

-55 bis +100 °C.<br />

Monolithischer<br />

Verstärker für<br />

Frequenzen bis 50 GHz<br />

Das Modell LTA-M1109-D +<br />

von Mini-Circuits ist ein breitbandiger<br />

monolithisch verteilter<br />

Verstärkerchip mit flacher Verstärkung<br />

und geringem Rauschen<br />

von DC bis 50 GHz. Mit einer<br />

Vorspannung von 5 V und 160<br />

mA kann der winzige Chip eine<br />

Verstärkung von 17,3 dB bei 100<br />

MHz, von 16,1 dB bei 20 GHz,<br />

von 17,4 dB bei 30 GHz und von<br />

17,4 dB bei 40 GHz erzielen. Mit<br />

einer Verstärkungsflachheit von<br />

±2,2 dB von 0,1 bis 40 GHz und<br />

einer Bandbreite von 50 GHz ist<br />

der verteilt designte Verstärker-<br />

Chip ideal für 5G-Netze, kommerzielle<br />

und militärische Funkgeräte<br />

sowie Instrumentierungsanwendungen.<br />

Die typische Rauschzahl beträgt<br />

3,1 dB bei 10 GHz, 4 dBm bei<br />

20 GHz, 5,5 dB bei 30 GHz,<br />

7,8 dB bei 40 GHz und 11,8 dB<br />

bei 50 GHz. Die typische Ausgangsleistung<br />

bei 1-dB-Komprimierung<br />

beträgt 20 dBm bei 10<br />

GHz, 19,3 dBm bei 20 GHz, 17,9<br />

dBm bei 30 GHz und 17 dBm<br />

bei 40 GHz. Basierend auf der<br />

Halbleitertechnologie des pseudomorphen<br />

Hochmobilelektronen-Transistors<br />

(pHEMT) ist<br />

42 hf-praxis 3/<strong>2021</strong>

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