А,В,Соколов, 0,М, Степанюк - Скачать документы

Глава 2. Проблемы защиты информации 137
Минимальная энергия, вызывающая функциональные повреждения полупроводниковых
приборов и интегральных микросхем, определяется критической энергией, разрушающей
полупроводниковый переход (электрическая прочность полупроводникового
перехода). Эта энергия достаточно мала и порой составляет 10-2-10-7 Дж, к тому
же она не зависит от параметров импульсного воздействия и определяется только физико-конструктивными
параметрами полупроводникового перехода.
Между соединительными проводниками или элементами схемы, а также между ними
и корпусом или экранирующей шиной всегда имеются емкость и индуктивность монтажа.
Их можно рассматривать как возможные пути распространения импульсов силового
воздействия на элементы технических средств. На рис. 2.30 представлены эквивалентные
схемы емкостного и индуктивного путей распространения помехи.
В качестве примера одного из видов воздействия можно рассмотреть влияние металлической
подложки гибридной микросхемы на помехоустойчивость схемы управления
блока питания (рис. 2.31, а). Другой случай негативного влияния паразитной
емкости монтажа можно проиллюстрировать на примере межобмоточной емкости силового
трансформатора блока питания (рис. 2.31, б).
Как видно из рис. 2.31, входные высоковольтные и выходные низковольтные цепи
источников питания компьютеров имеют емкостную связь через паразитную емкость,
величина которой может составлять 10—30 пФ. Такая величина обусловлена тем, что
в подавляющем большинстве компьютерных источников питания сложно реализовать
специфические требования, предъявляемые к конструкции фильтров НЧ (разбивку
корпуса на экранированные отсеки, применение элементов с малой собственной емкостью/индуктивностью,
оптимальную трассировку монтажных жгутов и т. п.).
Если прокладка кабеля к сетевому выключателю внутри корпуса компьютера выполняется
без учета требований электромагнитной совместимости, то появляется паразитная
емкость величиной 5—10 пФ, связывающая сеть питания с элементами материнской
платы.
Если атакующие средства используются для провоцирования сбоев в работе информационной
системы, то они генерируют высоковольтные импульсы с наносекундным
временем нарастания. Для таких импульсов импеданс паразитных емкостей составляет
доли ома, поэтому энергия импульсов эффективно передается как на шины
питания узлов информационной системы в виде импульсов напряжения, так и во внут-
Рис. 2.30. Эквивалентные схемы емкостного и индуктивного
путей распространения помехи