Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

28 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v Brnětaktéž možná ke zvýšení intenzity naprašování. Naprašování je velmi běžně užívaná metoda,protože zařízení jsou cenově velmi dostupná.4.3.2 NapařováníVakuové napařování je fyzikálně odlišné od naprašování. Řadí se mezi nejjednoduššítechnologie výroby tenkých vrstev. Částice nanášeného materiálu jsou uvolňovány zmateriálu důsledkem jeho zahřívání v uzavřeném systému nebo je do něj přiváděn jeden čisměs plynů podle toho, jaká elektrochemická reakce je požadována. Chemické napařování(CVD – chemical vapor deposition) lze rozdělit na několik typů: dekompozice, disproporce,polymerizace, redukce, oxidace, nitridace.K dekompozici, viz. Obrázek 4.11.a), dochází za pyrolýzy, tj. zahřívání materiálu.V uzavřeném systému se ustaví rovnovážný tlak nazývaný tenze nasycených par. Je-li v tomtosystému porušena rovnováha a v určitém místě je teplota nižší, dochází v tomto místě kekondenzaci par. Tím jsou vytvořeny podmínky pro přenos materiálu z místa o vyšší teplotě (zvýparníku) do místa o teplotě nižší (na podložku, na níž roste tenká vrstva). Rychlostdepozice tak závisí na teplotě substrátu, viz. Obrázek 4.11.b). Ohřívání materiálu provypařování může být zajištěno odporovým ohřevem, iontovým svazkem, vysokofrekvenčnímohřevem atd. Celý proces napařování probíhá ve vakuu 10 -4 ÷ 10 -6 Pa z důvodu zvětšenístřední volné dráhy molekul nanášeného materiálu.Dekompoziční vakuové napařování bylo používáno často k nanášení vrstev NiCr a SiO(vžilo se také označení chromniklová technologie), kdy je na podložku nanesena vrstva NiCr.Po jejím nanesení je vytvořena vrstva Ni tvořící difúzní bariéru a adhezní podklad provodivou vrstvu Au.Disproporční napařování vychází z využití plynu o dvou prvcích AB přicházejícího dostudené oblasti, kde pouze A je deponován na studenější substrát. Tato technika se využívápřevážně pro epitaxi křemíku nebo germania. Teplotní spády jsou pro Si 1000°C/950°C, progermanium 300°C/250°C. Pro epitaxi se užívá jodid křemíku nebo germánia. Rychlost růstuje poměrně vysoká, u germania činí až 400 Å/s.a) zařízení b) závislost na teplotě substrátuObrázek 4.11: Vakuové dekompoziční napařováníAnorganické i organické polymery lze připravit z monomerní páry elektronovýmsvazkem, UV zářením nebo doutnavým výbojem. Elektronový svazek je znám u litografie,UV záření u výroby masek pro sítotisk, kde se využívá fotocitlivých rezistů. Nepolymerní