Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

94 Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií VUT v BrněObrázek 11.19: Řez strukturou ISFETuSiO2/Si3N4/PVA tvoří citlivou vrstvu na H+ ionty. Tento senzor se například užívá proměření pH moči. Aby mohlo vzniknout pole, je použit Ti/Au pseudo-elektroda jakoreferenční. Citlivost senzoru je 40 mV/pH. Pro měření odezvy ISFETu lze použít jednoduchýpřístrojový zesilovač. Toto zapojení a průběh výstupního napětí v závislosti na rozdílu (V + –V - ) a pH měřeného roztoku ukazuje Obrázek 11.20.Obrázek 11.20: Jednoduchý zesilovač pro ISFET a průběh výstupního napětíDíky velmi rychlému rozvoji montážních technologií lze v poměrně krátké doběpřizpůsobit i technologie pro výrobu senzorů. Reprezentuje hybridní formu chemickéhosenzoru, kde polovodičový ISFET je jako flip-chip připájen na keramický substrát, viz.Obrázek 11.21. Tento senzor byl nazván HFC-FET (hybride flip-chip field effect transistor).Pracuje v podstatě na principu oddělené báze (gate), který byl nazván SGFET (suspendedFET).