Mikrosenzory a mikromechanické systémy - Vysoké učení technické ...

Mikrosenzory a mikromechanické systémy 738 Polovodičové senzoryCíle kapitoly: Cílem kapitoly je úvod do materiálů a využití některých fenoménův polovodičích pro detekční účely.Motivace: Výčet a pochopení je nezbytné, protože umožňují realizaci principů senzorůuvedených v předchozích, ale i v následujících kapitolách, a jsou stěžejní přiminiaturizaci senzorů.8.1 Teplotní závislost PN přechoduMonokrystalické senzory teploty s PN přechody využívají závislosti vlastností diod atranzistorů na teplotě PN přechodu (změna charakteristik v závislosti na teplotě). S výhodouse využívá měření klidových proudů PN přechodů u tranzistorů (emitor – báze, kolektor –báze). Využívá se jich i pro měření velmi nízkých teplot, např dioda typu GaAs se můževyužít pro měření teplot v rozsahu od 1 K do 450 K.8.2 Piezoodporový jev v polovodičích8.3 Fotonové jevy v polovodičíchFotodiody využívají vnitřní fotoelektrický jev v polovodiči na PN přechodu. Konstruujíse dvěma způsoby:• světelný tok je rovnoběžný s PN přechodem,• světelný tok je kolmý na PN přechod.Pro měření světelného záření lze využít i senzory s více PN přechody např.fototranzistory.8.4 Radiační jevy v polovodičích8.5 Magnetoelektrické jevy v polovodičích9 Optoelektronické senzoryCíle kapitoly: Cílem kapitoly je seznámit studenta s optoelektronickými senzory ase senzory s CCD prvky, jejich principem, vlastnostmi a využitím.