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44 Kapitel 3. Prinzip und experimenteller Aufbau des A4-Experiments<br />

Abbildung 3.3: Meßgate-Differenzen zwischen den beiden Helizitäten für die Daten bei<br />

E=854.3 MeV und E=570.4 MeV und longitudinaler Polarisation. Die Differenzen<br />

sind so klein, daß sie keinen nennenswerten Einfluß auf die gemessene<br />

Asymmetrie ausüben.<br />

muster werden jeweils für vier aufeinanderfolgende 20 ms-Perioden mit definierter<br />

Helizität (+ oder −) erzeugt. Zufallsgeneriert werden zwei Muster der Form<br />

+ − −+ oder − + +−. Durch diese Muster ist der Polarisationswechsel für beide<br />

Helizitäten gleichwahrscheinlich, so daß eine Korrelation der Asymmetrie mit<br />

der Umschaltsequenz vermieden wird. Zwischen zwei 20 ms Meßpulsen ist eine<br />

Umschaltzeit von 80 µs eingefügt. Diese wird aufgrund des Schaltverhaltens der<br />

Pockels-Zelle für die Polarisationsumschaltung benötigt.<br />

Sind die Meßgate-Fenster für die beiden Helizitäten unterschiedlich lang, führen<br />

sie eine falsche Asymmetrie in das Ergebnis ein. Um den Einfluß der Meßgatelängen<br />

unter Kontrolle zu halten, werden die Längen der Meßgates in der A4-<br />

Datenaufnahme mithistogrammiert. In Abbildung 3.3 sind die helizitätskorrelierten<br />

Gatelängendifferenzen für etwa 4300 Datenläufe bei E=854.3 MeV und etwa 3900<br />

Datenläufe bei E=570.4 MeV und longitudinaler Polarisation histogrammiert. Sie<br />

betragen im Mittelwert -0.34 ns und 0.03 ns und führen zu falschen Asymmetrien<br />

von lediglich 1.8 · 10 −8 bzw. 1.5 · 10 −9 .<br />

3.2.2 Quelle polarisierter Elektronen und Beschleuniger<br />

Die Quelle polarisierter Elektronen [58, 59, 60] basiert auf dem Prinzip der<br />

Photoemission aus GaAs. Sie liefert für das A4-Experiment polarisierte Elektronen<br />

bei einem Strahlstrom von 20 µA und einer Polarisation von etwa 80%. Der<br />

Aufbau der Quelle ist schematisch in Abb. 3.4 dargestellt. Der GaAs-Kristall<br />

dient als Photokathode und wird mit 100 ps breiten Lichtpulsen eines getakteten<br />

Halbleiter-Lasers beleuchtet. Die Repetitionsrate des Lasers von 2.45 GHz ist<br />

dabei auf die Hochfrequenz von MAMI synchronisiert. Zur Erhöhung des Pola-

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