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Status und Perspektiven - SNI-Portal

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Das immer raschere Umsetzen wissenschaftlicher<br />

Erkenntnisse in Verfahren <strong>und</strong> Produkte des täglichen<br />

Lebens prägt unsere Zivilisation <strong>und</strong> ist Motor des<br />

Fortschritts. Dass dabei Neutronen als einzigartige<br />

<strong>und</strong> für viele Fragestellungen unverzichtbare<br />

Sonden zur Untersuchung von Materialien eine<br />

wichtige Rolle spielen, ist nicht überraschend, <strong>und</strong><br />

es ist klar zu sehen, dass ihre Bedeutung mit dem<br />

Vordringen wissenschaftlicher Methoden in immer<br />

mehr Bereiche des täglichen Lebens noch zunehmen<br />

wird. Die Forschung mit Neutronen strahlt schon<br />

jetzt auf viele unterschiedliche Gebiete des täglichen<br />

Lebens aus. Neutronen dienen dabei nicht nur zur<br />

Analyse von Materialeigenschaften, sondern – über<br />

Kernreaktionen – auch zur Materialmodifi kation.<br />

Einige Beispiele aus den Gebieten Kommunikation<br />

<strong>und</strong> Informationstechnologie, Mobilität, Energie <strong>und</strong><br />

Umwelt, Ges<strong>und</strong>heit sowie kulturelles Erbe sollen diese<br />

Bedeutung der Neutronenforschung belegen.<br />

Kommunikation <strong>und</strong><br />

Informationstechnologie<br />

Überall im täglichen Leben begegnen uns magnetische<br />

Medien zur Datenspeicherung. Die enormen Fortschritte<br />

in Speicherdichte <strong>und</strong> Geschwindigkeit beim<br />

Aufzeichnen <strong>und</strong> Auslesen <strong>und</strong> die damit verb<strong>und</strong>ene<br />

Miniaturisierung der Speichermedien wären ohne<br />

intensive Gr<strong>und</strong>lagenforschung nicht möglich gewesen.<br />

Neutronen als kleine „Elementarmagnete“ sind die idealen<br />

Sonden zur Erforschung magnetischer Eigenschaften<br />

von Materialien auf mikroskopischer Skala. Nahezu<br />

alles, was wir heute über Ordnung <strong>und</strong> Dynamik der<br />

magnetischen Momente in Materialien <strong>und</strong> die Änderung<br />

magnetischer Strukturen durch äußere Einfl üsse<br />

sicher wissen, beruht auf Ergebnissen von Neutronenstreuexperimenten.<br />

Spintronik<br />

Welche Entwicklungen in der Informationstechnologie<br />

wurden in der letzten Zeit durch Gr<strong>und</strong>lagenforschung<br />

ermöglicht Die Entdeckung des GMR-Effektes<br />

(Riesenmagnetowiderstand) durch Grünberg et al. <strong>und</strong><br />

Fert et al. im Jahre 1988 hat das Gebiet der Spintronik<br />

begründet. Speicherung, Transport <strong>und</strong> Verarbeitung<br />

von Information unter Ausnutzung der Abhängigkeit<br />

elektrischer Transporteigenschaften vom Elektronenspin<br />

ermöglicht erheblich schnellere, leistungseffi zientere<br />

<strong>und</strong> kleinere Bauelemente. Bei der Entdeckung<br />

dieses Effekts hat die Neutronenstreuung zwar keine<br />

Rolle gespielt. Jedoch war umfangreiche Gr<strong>und</strong>lagenforschung<br />

zur technischen Realisierung der Bauelemente,<br />

die auf diesem Effekt basieren, unabdingbar, <strong>und</strong><br />

hier haben Neutronen entscheidende Beiträge geliefert.<br />

Zur Optimierung von Bauteilen müssen die magnetischen<br />

Eigenschaften unterschiedlichster Materialien<br />

<strong>und</strong> Materialkombinationen im Detail untersucht<br />

<strong>und</strong> verstanden werden. Bei den Paketen aus dünnen<br />

Schichten – typische Bauelemente der Spintronik - sind<br />

es insbesondere auch strukturelle <strong>und</strong> magnetische<br />

Rauigkeiten in den Grenzschichten, die das Verhalten<br />

der Bauelemente stark beeinfl ussen können. Sehr bald<br />

nach seiner Entdeckung wurde der GMR-Effekt zusammen<br />

mit dem Exchange-Bias-Effekt, einem weiteren<br />

an Dünnschichtpaketen zu beobachtenden Effekt, zum<br />

Bau empfi ndlicher Festplattenleseköpfe ausgenutzt.<br />

Durch den Einsatz dieser neuen Leseköpfe ließen sich<br />

die nutzbaren Speicherdichten von Festplatten in kurzer<br />

Zeit um den Faktor 10 steigern.<br />

Magnetische Speicher<br />

Noch am Anfang steht eine Entwicklung hin zu noch<br />

dichteren Magnetspeichern, bei denen die Magnetisierung<br />

des Materials nicht mit einem äußeren Magnetfeld,<br />

sondern mit anderen Mitteln, beeinfl usst wird.<br />

Ergebnisse der Gr<strong>und</strong>lagenforschung mit Neutronen<br />

erlauben erste Einblicke, wie erfolgversprechende<br />

Systeme funktionieren könnten. Eine aussichtsreiche<br />

Materialklasse stellen die ferromagnetischen<br />

Ferroelektrika (Multiferroika) dar, in denen durch ein<br />

äußeres elektrisches Feld reversibel ferromagnetische<br />

Ordnung in einem Kristall an- <strong>und</strong> abgeschaltet werden<br />

kann. Vor kurzem wurde mit Neutronenstreuung am<br />

System HoMnO 3<br />

im Detail der dafür verantwortliche<br />

Mechanismus aufgeklärt.<br />

Silizium<br />

Bei all diesen Entwicklungen auf dem Gebiet der magnetischen<br />

Speichermedien soll nicht vergessen werden,<br />

dass Neutronen auch bei der Herstellung homogen dotierten<br />

Siliziums – eines Gr<strong>und</strong>stoffs für elektronische<br />

Bausteine – eine wichtige Rolle spielen. Dazu werden<br />

Blöcke von einkristallinem Silizium in Reaktoren mit<br />

Neutronen bestrahlt, wobei über eine Kernreaktion etwa<br />

eines von 1 Million Siliziumatomen in ein Phosphoratom<br />

umgewandelt wird. Die große industrielle Bedeutung<br />

dieser als Transmutationsdotierung bezeichneten<br />

Methode ist in der exzellenten Homogenität begründet,<br />

die damit erreicht wird. So werden wesentlich höhere<br />

Leistungsdichten bei Transistoren <strong>und</strong> Thyristoren, wie<br />

sie zum Beispiel in der Bahntechnik eingesetzt werden,<br />

möglich.<br />

CoFe – frei drehbar<br />

Oxid-Barriere<br />

CoFe - festgehalten<br />

<br />

<br />

<br />

Abb. 3.1. Der magnetoelektrische GMR-Effekt. Der<br />

elektrische Widerstand dieses Schichtpakets ändert sich, je<br />

nachdem ob die Magnetisierungsrichtungen in den beiden<br />

ferromagnetischen Schichten parallel oder antiparallel<br />

zueinander ausgerichtet sind. Er ist gering bei paralleler<br />

Orientierung <strong>und</strong> groß bei antiparalleler Orientierung. Ein<br />

magnetisches Signal (Richtung der Magnetisierung) wird so<br />

in ein Stromsignal (elektrischer Widerstand) übersetzt.<br />

Abb. 3.2. Der Exchange-Bias-Effekt. Eine antiferromagnetische<br />

Schicht fixiert die Magnetisierungsrichtung der<br />

angrenzenden ferromagnetischen Schicht. Sogenannte<br />

„Spinvalve“-Bauelemente, bei denen eine zweite ferromagnetische<br />

Schicht durch ein externes Feld gedreht werden<br />

kann, wirken über den Magnetwiderstand als Sensoren.<br />

Abb. 3.3. Schema eines sog. MRAM-Speichers als<br />

Beispiel eines lateral strukturierten magnetischen Schichtsystems.<br />

Abb. 3.4. Neutronenstreuung konnte in HoMnO 3<br />

den<br />

Mechanismus bestimmen, der zu multiferroischem Verhalten<br />

(Kombination von ferroelektrischem <strong>und</strong> ferromagnetischem<br />

Verhalten) führt. Derartige Multiferroika könnten sich als<br />

entscheidend für die Entwicklung magnetischer Speicher<br />

erweisen.<br />

50 Kommunikation<br />

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