Jahresbericht Forschung

50 Fakultät für Naturwissenschaften
Dissertationen:
Schwarzer, N.: Kugeleindruckversuch in geschichtete Materialien
Spaeth, Chr.: Herstellung und Charakterisierung von Kohlenstoffnitridschichten
Welzel, Th.: Plasmadiagnostische Charakterisierung der Magnetronentladung zur c-BN-Abscheidung
Halbleiterphysik
Univ.-Prof. Dr. Dietrich R. T. Zahn
Wissenschaftliche Veröffentlichungen:
Werninghaus, T.; Zahn, D.R.T.; Wang, E.G.; Chen, Y.: Micro-Raman Spectroscopy Investigation
of C 3 N 4 Crystals deposited on Nickel Substrates, Diamond and Related Materials, 7(1) (1998)
52
Bessolov, V.N.; Lebedev, M.V.; Ivankov, A.F.; Bauhofer, W.; Zahn, D.R.T.: Electronic Properties
of GaAs(100) Surface Passivated in Alcoholic Sulfide Solutions, Appl. Surf. Sci., 133 (1998) 17
Drews, D., Schneider, A.; Werninghaus, T.; Behres, A.; Heuken, M.; Heime, K.;
Zahn, D.R.T.: Characterization of MOVPE grown InPSb/InAs Heterostructures, Appl. Surf. Sci.,
123 (1998) 746
Werninghaus, T.; Friedrich, M.; Cimalla, V.; Scheiner, J.; Goldhahn, R.; Zahn, D.R.T.;
Pezoldt, J.: Optical Characterization of MBE grown cubic and hexagonal SiC films on Si(111),
Diamond Rel. Mat., 7 (1998) 1385
Lübbe, M.; Bressler, P.R.; Drews, D.; Braun, W.; Zahn, D.R.T.: Study of Hydrogen and Methane
Modification of CVD Diamond by XAS at the Carbon K-Edge, Diamond Rel. Mat.,
7 (1998) 247
Drews, D.; Zahn, D.R.T.: Initial Phase of C 60 Deposition on Si(100) and GaAs(100) Studied in
situ by Raman Spectroscopy Carbon, Vol. 36 5-6 (1998) 645
Gnoth, D.N.; Wolfframm; D., Patchett, A.; Hohenecker, S.; Zahn, D.R.T.; Leslie, A.;
McGovern I.T.; Evans, D.A.: A Comparison of S-Passivation of III-V (001) Surfaces Using
(NH 4 ) 2 S x and S 2 Cl 2 Appl. Surf. Sci., 123 (1998) 120
Tautz, F.S.; Sloboshanin, S.; Hohenecker, S.; Zahn, D.R.T.; Schaefer, J.A.: Photo-electron
Spectroscopy at Clean and Hydrogenated c(2x2) 3C-SiC (100) Surfaces, Appl. Surf. Sci, 123
(1998) 17
Prösch, G.; Beyer, R.; Behringer, M.; Fehrer, M.; Burghardt, H.; Thomas, E.;
Hommel, D.; Zahn, D.R.T.: Electrical Transport and Trap Properties in Nitrogen-Doped P-Type
MBE-Grown ZnSe Layers on GaAs Using Different Contact Materials, J. Cryst. Growth, 184
(1998) 440
Friedrich, M.; Hiller, K.; Wiemer, M.; Geßner, Th.; Zahn, D.R.T.: Infrared Spectroscopic
Characterization of the Buried Interface and Surfaces of Bonded Silicon Wafers, Fresenius’
Journal of Analytical Chemistry, 361 6/7 (1998) 558
Lübbe, M.; Bressler, P.R.; Braun, W.; Schaarschmidt, G.; Hinneberg, H.-J.; Zahn, D.R.T.:
Study of CVD Diamond C(100) by X-ray Absorption Spectroscopy, Fresenius’ Journal of Analytical
Chemistry, 361 6/7 (1998) 602
Bessolov, V. N.; Lebedev, M. V.; Binh, N. M.; Friedrich, M.; Zahn, D.R.T.: Sulfide Passivation
of GaAs: The Role of the Sulfur Chemical Activity, Sem. Sci. Technol., 13(6) (1998) 611
Zahn, D.R.T.: Raman Monitoring of Wide Bandgap MBE Growth, Appl. Surf. Sci., 123 (1998)
276
Beyer, R.; Burghardt, H.; Thomas, E.; Reich, R.; Geßner, T.; Zahn, D.R.T.:Electrical Behaviour,