pdf, 2.2 Mb - Walther Meißner Institut - Bayerische Akademie der ...

4.1 Wachstum der Schichtsysteme 29ParameterAtmosphäreProzessdruckStromSputterzeitSchichtdickeWertArgon5 · 10 −2 mbar60 mA360 s180 nmTabelle 4.1: Sputter-Parameter für PlatinFilm Struktur GitterfehlanpassungTiN(111) kubisch 9,0%Co(0001) hexagonal -8,8%Ni(111) kubisch -9,3%ZnO(0001) hexagonal 18,0%Fe 3 O 4 (111) kubisch 7,9% [34]Co 2 MnSi(111) kubisch -15%Au(111) kubisch 4,9%Tabelle 4.2: Gitterfehlanpassungen der einzelnen Filme bezüglich des Sauerstoffuntergittersdes (0001)-orientierten Saphir-Substrates.4.1.2 Wachstum der epitaktischen Filme mit gepulsterLaserdepostitionDie auf der Rückseite besputterten Saphir-Substrate wurden für den PLD-Prozess aufeinen Probenhalter gelegt und in die Ultrahochvakuumanlage (p ≈ 10 −8 mbar) durcheine Probenschleuse eingeschleust. Mit Hilfe eines mechanischen Transferarms konnteso die Probe in die PLD-Anlage transportiert werden. Je nach zu wachsendem Materialwurden nun die optimalen Wachstumsparameter für Druck, Atmosphäre und Energiedichte(TiN: 2 J/cm 2 [35], ZnO: 1 J/cm 2 [35], Fe 3 O 4 : 3,1 J/cm 2 [34] und für Co 2 MnSi:3 J/cm 2 [36]) eingestellt. TiN, ZnO und Fe 3 O 4 wurden in Argonatmosphäre bei einemDruck von 7 · 10 −4 mbar gewachsen. Dazu wurde mit Hilfe eines Flow-Controllers einGasfluss von 5 cm 3 /min eingestellt. Mit einem regelbaren Schieberventil zur Vakuumpumpewird der Hintergrunddruck während des Prozesses konstant gehalten. Co 2 MnSi