pdf, 2.2 Mb - Walther Meißner Institut - Bayerische Akademie der ...

40 Kapitel 5 Strukturierung der GMR-Kontakte5.1 Herstellung der unteren ZuleitungenIm ersten Schritt wurden die unteren Zuleitungen inklusive der Bondpads der vertikalenMesa-Struktur sowie auch die einzelnen GMR-Kontakte definiert. In Abbildung 5.2ist die verwendete Maskenvorlage für die optische Lithographie dargestellt. Die Breiteder Maske beträgt 1200 µm und dabei lassen sich neun GMR-Kontakte auf der Probeplatzieren. Die in diesem Kapitel genannten Maße beziehen sich jeweils auf die gewünschteStrukturgröße auf der Probe. Die Maske wird bei der Lithographie auf derProbe invertiert, was heißt, dass nach dem Belichten und anschließendem Entwickelndie weißen Stellen der Maske mit Photolack bedeckt zurückbleiben.Abbildung 5.2: Maske für den ersten Lithographieschritt.Die eigentliche Lithographie wurde im Reinraum durchgeführt. Dazu wurden die Probenvorher mit Aceton p.a. und Isopropanol p.a. im Ultraschallbad gereinigt undmit Stickstoff abgeblasen. Anschließend wurde der AZ5214E-Photolack in einer Lackschleuderbei 8.000 Umdrehungen pro Minute gleichmäßig aufgetragen. Auf einer Wärmeplattewurde die Probe inklusive Lack bei 110 °C für 110 s gehärtet, was einen Lackmit der Schichtdicke von ca. 1 µm zurücklässt. Die Probe wurde dann mit Hilfe einesMikroskops mit der in Abb. 5.2 dargestellten Maske mit UV-Licht für 22 s belichtet.Dabei wurde ein 10x-Objektiv gewählt, um die gewünschten Strukturgrößen zu erhalten.Zum Schluss wurde der Lack in einem AZ726MIF-Entwickler (Ionfree, 2,38%in H 2 O) 60 s lang entwickelt und anschließend in Wasser geschwenkt. Nach Abschlussder Lithographie wurde die Probe bzw. der Lack noch einmal unterm Mikroskop kontrolliert.