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Tabellenverzeichnis4.1 Sputter-Parameter für Platin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294.2 Gitterfehlanpassungen der einzelnen Filme bezüglich des Sauerstoffuntergittersdes Saphire-Substrates . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 294.3 PLD- Prozessparameter beim epitaktischem Wachstum . . . . . . . . . 304.4 Längen der (0001)- und (111)-Achsen der verschiedenen Materialen imVielschichtsystem . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 334.5 Schichtdicken eines Schichtsystems aus der Auswertung der Reflektometriekurve. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 365.1 Parameter beim Ionenstrahlätzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 415.2 Materialspezifische Ätzraten für den Ionenstrahlätzer . . . . . . . . . . 415.3 Sputter-Parameter für Cr/Au . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 456.1 Widerstände der einzelnen Materialschichten . . . . . . . . . . . . . . . 496.2 Ergebnisse des Fits der MR(t ZnO )-Kurven aus Abb. 6.12 . . . . . . . . . 647.1 Schichtdicken der Co/ZnO/Fe 3 O 4 - und Co 2 MnSi/ZnO/Co-Proben ausder Reflektometrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69VI
Kapitel 1Motivation und ÜberblickDie Entwicklung in der Computertechnologie für Mikroprozessoren und Speicherbausteineetc. ist aufgrund des riesigen Marktes und des Fortschrittes in Mikro- undNanotechnologie so rasant wie ansonsten bei fast keiner anderen Technologie vorangeschritten.Mittlerweile sind Mikroprozessoren in fast allen Bereichen des Lebens zufinden. Sie tragen in den meisten Fällen zu einer erheblichen Entlastung von Menschenoder Vereinfachung von Prozessen bei und sind aus der heutigen Informationsverarbeitungnicht mehr wegzudenken. So sind neue Mobiltelefone, sogenannte Smartphones,sowie andere mobile Endgeräte mit neuesten Hochleistungsprozessoren ausgestattet.Sie verfügen über ein Betriebssystem und ermöglichen dem Benutzer, eigene Programmezu installieren. Durch diese intensive Nutzung sowie die energiehungrigen Dienstewie WLAN, GPS und Bluetooth stoßen die Rechnergeschwindigkeit sowie die aktuelleAkku-Technologie an ihre Grenzen. Diese Grenzen müssen durch noch leistungsfähigereProzessoren überwunden werden, die aber bei gleicher Größe nicht mehr Energieverbrauchen dürfen.Die gesamte existierende Elektronik basiert auf der Ausnützung der Ladung des Elektrons.Um die Entwicklung voranschreiten zu lassen und noch leistungsstärkere, energieärmereund kleinere Bauelemente realisieren zu können, kann der Spin des Elektrons,der mit einem magnetischen Moment verbunden ist, ausgenützt werden. Diesführt direkt auf das aktuelle Forschungsgebiet der ”Spinelektronik“ oder auch kurzSpintronik“ genannt, wo versucht wird, den Spin des Elektrons gezielt zu steuern”und zu manipulieren. Bis heute wurden dafür viele verschiedene Konzepte vorgestelltund versucht zu realisieren.Albert Fert [1] und Peter Grünberg [2] entdeckten im Jahre 1988 den Riesenmagnetwiderstandseffekt(GMR: ”giant magnetoresistance“), welcher eine wesentliche Ver-1
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Seite 29 und 30: Kapitel 3Experimentelle TechnikenIm
Seite 31 und 32: 3.3 Röntgenbeugung 23be abscheiden
Seite 33 und 34: 3.4 Superconducting Quantum Interfe
Seite 35 und 36: Kapitel 4Schichtwachstum undCharakt
Seite 37 und 38: 4.1 Wachstum der Schichtsysteme 29P
Seite 39 und 40: 4.2 Charakterisierung der Schichtsy
Seite 47 und 48: Kapitel 5Strukturierung der GMR-Kon
Seite 49 und 50: 5.1 Herstellung der unteren Zuleitu
Seite 51 und 52: 5.2 Herausstrukturierung der vertik
Seite 53 und 54: 5.3 Schaffung der oberen Zuleitunge
Seite 55 und 56: Kapitel 6MagnetotransportmessungenI
Seite 57 und 58: 6.1 U(I)-Kennlinien 4964T = 3 0 0 K
Seite 59 und 60:
6.1 U(I)-Kennlinien 51Vergleicht ma
Seite 61 und 62:
6.2 Widerstands-Temperatur-Messunge
Seite 63 und 64:
6.3 R(H)-Messungen 55große Kontakt
Seite 65 und 66:
6.3 R(H)-Messungen 57sprechenden Sc
Seite 67 und 68:
6.4 Zusammenhang zwischen elektrisc
Seite 69 und 70:
6.6 Temperaturabhängigkeit des GMR
Seite 71 und 72:
6.7 Abhängigkeit des MR-Effektes v
Seite 73 und 74:
6.7 Abhängigkeit des MR-Effektes v
Seite 75 und 76:
Kapitel 7GMR-Schichtsysteme mit Co
Seite 77 und 78:
7.2 Magnetische Eigenschaften 69Lau
Seite 79 und 80:
7.3 Elektrische Eigenschaften 713 .
Seite 81 und 82:
7.3 Elektrische Eigenschaften 73das
Seite 83 und 84:
Kapitel 8Zusammenfassung und Ausbli
Seite 85 und 86:
77onslänge mit steigender ZnO-Schi
Seite 87 und 88:
Literaturverzeichnis[1] M. N. Baibi
Seite 89 und 90:
Literaturverzeichnis 81[31] D. Reis
Seite 91 und 92:
DanksagungZuerst möchte ich Prof.
Seite 93:
SelbstständigkeitserklärungMit de
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