pdf, 2.2 Mb - Walther Meißner Institut - Bayerische Akademie der ...

6.2 Widerstands-Temperatur-Messungen 53Aussage, dass fast der gesamte Widerstand durch das ZnO dominiert ist.Desweiteren ist ersichtlich, dass der Widerstand im Temperaturbereich von 1,8 K bis260 K nur um einen Faktor 11 ansteigt. Für einen typischen undotierten Halbleiterwürde man eine wesentlich höhere Änderung erwarten. Es kann deshalb davon ausgegangenwerden, dass man zu tiefen Temperaturen hin die Ladungsträger nicht mehrausfrieren konnte, und weist auf ein sehr hoch dotiertes ZnO hin [44].1 0 08 0A = 4 0 0 µ m ² ; I = 2 0 µ AT i N / C o / Z n O ( 1 5 n m ) / N i / A u6 0R (Ω)4 02 000 4 0 8 0 1 2 0 1 6 0 2 0 0 2 4 0 2 8 0T ( K )Abbildung 6.5: R(T )-Messung der 15 nm dicken ZnO-Probe bei einem Strom von I =20 µm.6.2.1 RA-ProduktUm verschiedengroße Kontakte besser miteinander vergleichen zu können, wurde dasRA-Produkt gebildet. Dazu wurde der Widerstand mit der Fläche des Kontaktesmultipliziert. So ist es möglich, das Widerstands-Temperatur-Verhalten der Kontakteflächenunabhängig zu charakterisieren, da nur noch der spezifische Widerstand vonZnO und dessen Schichtdicke t von Bedeutung sind (siehe hierzu Gleichung (6.2)).R · A = ρ · t (6.2)