pdf, 2.2 Mb - Walther Meißner Institut - Bayerische Akademie der ...

32 Kapitel 4 Schichtwachstum und Charakterisierung1 0 5 A l 2 O 3 ( 0 0 0 6 )1 0 4T i N ( 1 1 1 )A u ( 1 1 1 )Z n O ( 0 0 0 2 )N i ( 1 1 1 ) / C o ( 0 0 0 2 )1 0 41 0 31 0 2I (c p s )1 0 31 0 21 0 11 0 13 0 3 5 4 0 4 5A l 2 O 3 ( 0 0 0 1 2 )Z n O ( 0 0 0 4 )T i N ( 2 2 2 )A l 2 O 3 ( 0 0 0 9 )A u ( 2 2 2 )N i ( 2 2 2 ) / C o ( 0 0 0 4 )Z n O ( 0 0 0 6 )2 0 4 0 6 0 8 0 1 0 0 1 2 02 ( ° )Abbildung 4.2: ω − 2θ- Scan eines Schichtsystems aus TiN/Co/ZnO(100nm)/Ni/Au. ImInset ist der Winkelbereich von 30° - 50° vergrößert dargestellt.enthalten sind.Aus den Winkeln der Materialreflexe im ω − 2θ- Scan aus Abb. 4.2 kann man mit Hilfeder Bragg-Bedingung (3.1) auf die Länge der (0001)- bzw. (111)-Achsen schließen.Die dafür errechneten Werte sind in Tabelle 4.4 zusammengefasst. Vergleicht mandie errechneten Werte mit den Literaturwerten, so stimmen diese sehr gut übereinund man kann von einem relaxiertem Wachstum auf dem Substrat ausgehen. Auffälligist jedoch, dass die Werte leicht größer werden mit zunehmenden Reflex. Diesersystematische Fehler entsteht hauptsächlich dadurch, dass die Proben nicht exakt aufder Diffraktometerachse liegen. Dieser systematische Fehler kann durch das Nelson-Riley-Verfahren reduziert werden, was in diesem Fall aber aufgrund von jeweils zweiReflexen pro Materialschicht keinen Sinn macht.