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IVAbbildungsverzeichnis4.7 Magnetisierung in Abhängigkeit vom Magnetfeld für verschiedene Temperatureneines Schichtsystems . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 385.1 Schematische Darstellung eines GMR-Kontakts . . . . . . . . . . . . . 395.2 Maske für den ersten Lithographieschritt . . . . . . . . . . . . . . . . . 405.3 Mikroskopaufnahme einer Probe nach dem ersten Lithographieschritt . 425.4 Maske für den zweiten Lithographieschritt . . . . . . . . . . . . . . . . 435.5 Mikroskopaufnahme einer strukturierten Mesa-Struktur (helles Quadrat)mit SiO 2 (dunkle Fläche) umgeben . . . . . . . . . . . . . . . . . 445.6 Maske für den letzten Lithographieschritt . . . . . . . . . . . . . . . . . 455.7 Fertig strukturierte Probe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 465.8 Gebondete Probe auf Probenhalter . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 466.1 Schematische Darstellung des Stromverlaufs durch das Schichtsystem . 486.2 U (I )-Kennlinien einer Co/ZnO/Ni-Probe mit 14,1 nm ZnO-Dicke imVergleich mit einer Probe ohne Co und Ni . . . . . . . . . . . . . . . . 496.3 U (I )-Kennlinien einer 15 nm dicken ZnO-Probe in Abhängigkeit vonder Temperatur . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 516.4 Darstellung des differenziellen Widerstandes bei U 4P = 0 in Abhängigkeitvon der Temperatur der Probe aus Abb. 6.3 . . . . . . . . . . . . . 526.5 R(T )-Messung der 15 nm dicken ZnO-Probe . . . . . . . . . . . . . . . 536.6 RA-Produkt in Abhängigkeit von der Temperatur für verschiedengroßeKontaktflächen einer Probe mit einer Dicke der ZnO-Schicht von 100 nm 546.7 RA-Produkt in Abhängigkeit der Temperatur für verschiedengroße Kontaktflächenund verschiedene ZnO-Schichtdicken . . . . . . . . . . . . . 556.8 Widerstandsmessung in Abhängigkeit des Magnetfeldes (a) und Darstellungdes MR(H ) (b) einer Probe mit 15 nm dicken ZnO bei einerTemperatur von 1,8 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 576.9 Veranschaulichung des magnetischen und elektrischen Schaltverhaltens 596.10 Stromabhängigkeit des GMR-Effektes einer Probe mit 20 nm dickemZnO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 606.11 Temperaturabhängigkeit des GMR-Effektes einer Probe mit 15 nm ZnO 616.12 Schichtdickenabhängigkeit des MR-Effekts für verschiedene Temperaturen. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 636.13 Temperaturabhängigkeit der Spindiffusionslänge l ZnOsf. . . . . . . . . . . 65
AbbildungsverzeichnisV7.1 ω − 2θ-Scan eines Schichtsystems mit Co 2 MnSi und Fe 3 O 4 . . . . . . . 687.2 Magnetisierung in Abhängigkeit vom Magnetfeld für die Co 2 MnSi/ZnO/Co-Probe bei einer Temperatur von 25 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 707.3 Magnetisierung in Abhängigkeit vom Magnetfeld für die Fe 3 O 4 -Probebei einer Temperatur von 25 K . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 717.4 U (I )-Kennlinien zweier Kontakte der Co 2 MnSi/ZnO/Co- und Co/ZnO/-Fe 3 O 4 -Proben . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 727.5 R(T )-Messung der Co/ZnO/Fe 3 O 4 -Probe und der Co 2 MnSi/ZnO/Co-Probe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 737.6 Magnetwiderstand der Co/ZnO/Fe 3 O 4 -Probe bei einer Temperatur von5 K für α = 0° und 90° Feldorientierung dargestellt . . . . . . . . . . . 748.1 Schematische Darstellung einer lateralen GMR-Struktur . . . . . . . . . 77
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Seite 13 und 14: Kapitel 2Spininjektion in einen Hal
Seite 15 und 16: 2.3 Konzept der Spininjektion und D
Seite 29 und 30: Kapitel 3Experimentelle TechnikenIm
Seite 31 und 32: 3.3 Röntgenbeugung 23be abscheiden
Seite 33 und 34: 3.4 Superconducting Quantum Interfe
Seite 35 und 36: Kapitel 4Schichtwachstum undCharakt
Seite 37 und 38: 4.1 Wachstum der Schichtsysteme 29P
Seite 39 und 40: 4.2 Charakterisierung der Schichtsy
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Seite 49 und 50: 5.1 Herstellung der unteren Zuleitu
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5.3 Schaffung der oberen Zuleitunge
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Kapitel 6MagnetotransportmessungenI
Seite 57 und 58:
6.1 U(I)-Kennlinien 4964T = 3 0 0 K
Seite 59 und 60:
6.1 U(I)-Kennlinien 51Vergleicht ma
Seite 61 und 62:
6.2 Widerstands-Temperatur-Messunge
Seite 63 und 64:
6.3 R(H)-Messungen 55große Kontakt
Seite 65 und 66:
6.3 R(H)-Messungen 57sprechenden Sc
Seite 67 und 68:
6.4 Zusammenhang zwischen elektrisc
Seite 69 und 70:
6.6 Temperaturabhängigkeit des GMR
Seite 71 und 72:
6.7 Abhängigkeit des MR-Effektes v
Seite 73 und 74:
6.7 Abhängigkeit des MR-Effektes v
Seite 75 und 76:
Kapitel 7GMR-Schichtsysteme mit Co
Seite 77 und 78:
7.2 Magnetische Eigenschaften 69Lau
Seite 79 und 80:
7.3 Elektrische Eigenschaften 713 .
Seite 81 und 82:
7.3 Elektrische Eigenschaften 73das
Seite 83 und 84:
Kapitel 8Zusammenfassung und Ausbli
Seite 85 und 86:
77onslänge mit steigender ZnO-Schi
Seite 87 und 88:
Literaturverzeichnis[1] M. N. Baibi
Seite 89 und 90:
Literaturverzeichnis 81[31] D. Reis
Seite 91 und 92:
DanksagungZuerst möchte ich Prof.
Seite 93:
SelbstständigkeitserklärungMit de
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