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Aufbau eines Teststandes zur Integration von Silizium ...

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8 Kapitel 2. <strong>Silizium</strong>-Streifendetektoren<br />

Energie<br />

Leitungsband<br />

Donatorniveau<br />

Akzeptorniveau<br />

Verbotene<br />

Zone<br />

Valenzband<br />

Abbildung 2.1: Schematische Darstellung des Bändermodells.<br />

Es wirkt somit wie ein positive Ladung und man spricht <strong>von</strong> Löcherleitung.<br />

Bei einem Isolator ist die verbotene Zone so groß, dass bei Raumtemperatur<br />

fast keine freien Ladungsträgerpaare erzeugt werden können. Materialien, die<br />

bei der Zuführung einer bestimmten Mindestenergie leitend werden, bezeichnet<br />

man als Halbleiter. 1 Diese Mindestenergie, die vom Abstand zwischen dem höchsten<br />

Energieniveau des Valenzbandes und dem niedrigsten des Leitungsbandes<br />

abhängt, beträgt bei <strong>Silizium</strong> 1,12 eV. Da aber die Elektronen auf der niedrigsten<br />

Energiestufe des Leitungsbandes einen größeren Impuls besitzen als die Löcher<br />

auf der höchsten Stufe des Valenzbandes, muss einem Elektron zusätzlich<br />

dieser Impuls mitgegeben werden, wenn ein Übergang zwischen diesen beiden<br />

Niveaus stattfinden soll. Stoffe mit dieser Eigenschaft nennt man indirekte Halbleiter.<br />

Dadurch beträgt die <strong>zur</strong> Erzeugung <strong>eines</strong> Elektron-Loch-Paares benötigte<br />

Mindestenergie bei <strong>Silizium</strong> 3,6 eV.<br />

2.1.2 Dotierung <strong>von</strong> Halbleitern<br />

Als Dotierung bezeichnet man die gezielte Verunreinigung <strong>eines</strong> Halbleiterkristalles<br />

mit Fremdatomen. Besetzt man einen Platz im Kristallgitter mit einem Atom<br />

einer höheren Hauptgruppe, so hat dieses mehr Valenzelektronen, <strong>von</strong> denen die<br />

überzähligen nicht an den kovalenten Atombindungen beteiligt sind. Diese können<br />

bereits durch geringe Energiezufuhr entfernt werden, so dass sie im Kristall<br />

frei beweglich sind. Im Bändermodell entsprechen dieser Dotierung zusätzliche<br />

Energieniveaus, die sich unterhalb des Leitungsbandes befinden und Donatorniveaus<br />

genannt werden (vgl. Abb. 2.1). Die Energielücke zwischen den Donatorniveaus<br />

und dem Leitungsband ist wesentlich geringer als zwischen Valenz- und<br />

Leitungsband, wodurch bereits eine geringere Energie ausreicht, um ein Elektron<br />

ins Leitungsband zu bringen. Man spricht <strong>von</strong> n-Dotierung.<br />

Entsprechend kann man einen Halbleiter auch mit Atomen mit weniger Valenzelektronen<br />

dotieren. Dieser Vorgang heißt p-Dotierung. In diesem Fall kann sich<br />

1 Die Unterscheidung zwischen Isolatoren und Halbleitern ist eine Definitionssache und hängt<br />

<strong>von</strong> der Höhe der festgelegten Mindestenergie ab.

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