MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif

Chapitre I : propriétés de ZnO
différence de la taille des grains des films déposés à différentes épaisseurs. Il a noté également
que les tailles des cristallites augmentent avec l’augmentation de l’épaisseur.
Fig.1.4. Images AFM à 3 dimensions des couches minces de ZnO avec différentes
épaisseurs : (a) 65 nm, (b) 188,5 nm, (c) 280 nm et (d) 390 nm [25].
I.2.2. propriétés électriques
Le ZnO est un semiconducteur à gap direct [26, 27]. La largeur de la bande interdite
varie suivant le mode de préparation et le taux de dopage. Elle est située entre 3.3eV et 3.4
eV. Les propriétés électriques des cristaux de ZnO non dopés dépendent fortement de la
méthode et des conditions thermodynamiques de croissance de ces derniers [28].
Le tableau suivant résume quelques propriétés électriques de ZnO :
Le ZnO présente une conductivité électrique naturelle de type n qui est due à la présence des
atomes de zinc interstisiels [29].
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