MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif
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Intensité (u.a)<br />
(200)<br />
(002)<br />
(102)<br />
(112)<br />
(110)<br />
(103)<br />
(002)<br />
(100)<br />
(101)<br />
(110)<br />
Intensité (u.a)<br />
(200)<br />
(002)<br />
(102)<br />
(103)<br />
(201)<br />
(100)<br />
(101)<br />
Chapitre VI : Caractérisation structurale, morphologiques, optiques et électriques <strong>de</strong>s<br />
couches minces élaborées<br />
400°C<br />
450°C<br />
500°C<br />
550°C<br />
Al 2<br />
O 3<br />
Al<br />
Al<br />
Al 2<br />
O 3<br />
SiO 2<br />
SiO 2 Al 2<br />
O 3<br />
30 40 50 2 (°) 60 70 80<br />
Fig. 4.4. Diagrammes DRX <strong>de</strong>s couches minces <strong>de</strong> ZnO<br />
dopées 3% Al recuites à 400 °C, 450 °C, 500°C et 550 °C.<br />
5) ZnO:Al (4%)<br />
Le nombre <strong>de</strong> pics d’Aluminium est important et leurs intensités est supérieure à<br />
celle <strong>de</strong>s films dopés à 3% Al. Ce résultat indique que la concentration en Al est plus gran<strong>de</strong>.<br />
SiO 2<br />
400°C<br />
450°C<br />
500°C<br />
550°C<br />
Al<br />
Al 2<br />
O 3<br />
Al 2<br />
O 3<br />
Al 2<br />
O 3<br />
Al 2<br />
O 3<br />
Al<br />
Al<br />
SiO 2<br />
Al 2<br />
O 3<br />
30 40 50<br />
2 (°)<br />
60 70 80<br />
Fig. 4.5. Diagrammes DRX <strong>de</strong>s couches minces <strong>de</strong> ZnO<br />
dopées 4% Al recuites à 400 °C, 450 °C, 500°C et 550 °C.<br />
50
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