MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif

En fonction du dopage on a remarqué que la résistivité à une valeur maximale pour les
films non dopés, puis diminue avec l’augmentation de la concentration en Al jusqu’à 2 %,
ensuite elle remonte de nouveau pour atteindre une valeur de
à 3 %. Ensuite
elle diminue pour atteindre la valeur minimale à 5 % à cause de la destruction de la structure
cristalline de ZnO par l’excès d’Aluminium.
La résistivité diminue légèrement avec l’augmentation de la température, elle atteint sa
valeur minimale à 450 °C, puis elle augmente graduellement pour atteindre une valeur
maximale à 500 °C, cette augmentation de la résistivité est due à la diminution de la mobilité
des porteurs par l’introduction des atomes de Al 2 O 3 dans les joins de grains et les pores
partiels.
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