MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif
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Chapitre VI : Caractérisation structurale, morphologiques, optiques et électriques <strong>de</strong>s<br />
couches minces élaborées<br />
IV.1. Caractérisation structurale <strong>de</strong>s couches élaborées<br />
Dans le but d’étudier l’effet <strong>de</strong> la concentration en Aluminium et la température du<br />
recuit sur la structure cristalline <strong>de</strong>s couches minces élaborées, nous avons procédé à<br />
l’enregistrement <strong>de</strong>s diagrammes <strong>de</strong> diffraction <strong>de</strong>s rayons X (DRX) sur les échantillons.<br />
IV.1.1. Effet <strong>de</strong> la température <strong>de</strong> recuit sur la structure cristalline<br />
Les figures 4.1 à 4.6 représentent les diagrammes DRX <strong>de</strong>s couches minces <strong>de</strong> ZnO<br />
dopées avec 0, 1, 2, 3, 4 et 5% respectivement. Dans chaque figure, nous avons montré les<br />
diagrammes DRX pour différentes températures <strong>de</strong> recuit (400 °C, 450 °C, 500 °C et 550 °C).<br />
Sur tous les diagrammes, il y a présence <strong>de</strong>s pics dans les positions 31,64 , 35,33 , 36 ,<br />
47,39 , 56,5 , 62,42 , 67,08 et 68,29 qui correspon<strong>de</strong>nt aux plans (100), (002), (101), (102),<br />
(110), (103), (200) et (201) <strong>de</strong> la structure hexagonale <strong>de</strong> type wurtzite <strong>de</strong> ZnO. On peut<br />
déduire <strong>de</strong> la DRX que tout les films obtenus sont polycristallins avec une orientation<br />
préférentielle selon l’axe c perpendiculaire au substrat. De plus tous les pics sont larges ce qui<br />
indique la petite taille <strong>de</strong>s grains (nanométrique) formant la couche.<br />
Le caractère commun à tous les spectres est l’augmentation <strong>de</strong> l’intensité <strong>de</strong>s pics<br />
avec la température <strong>de</strong> recuit pour atteindre la valeur maximale à T=500 °C, puis diminue<br />
pour 550 °C. De cette remarque, on peut dire que la température optimale <strong>de</strong> recuit est 500<br />
°C. On constate également la présence <strong>de</strong>s pics <strong>de</strong> SiO 2 pour certaines couches ce qui<br />
témoigne <strong>de</strong> la faible épaisseur. Dans ce cas la profon<strong>de</strong>ur <strong>de</strong> pénétration <strong>de</strong>s rayons X atteint<br />
le substrat.<br />
Dans ce qui va suivre, nous allons donner quelques particularités relatives à chaque<br />
concentration.<br />
1) ZnO non dopé<br />
On constate que le pic le plus intense pour la température <strong>de</strong> 400 °C et 550 °C est le<br />
(100), tandis que pour 450 °C les intensités <strong>de</strong>s pics (100), (002) et (101) sont pratiquement<br />
les mêmes. Donc la température <strong>de</strong> recuit modifie l’orientation <strong>de</strong>s plans cristallins.<br />
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