MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif
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Intensité (u.a)<br />
(110)<br />
(201)<br />
(101)<br />
(100)<br />
(103)<br />
(200)<br />
(102)<br />
(002)<br />
(100)<br />
(002)<br />
Intensité (u.a)<br />
(110)<br />
(100)<br />
(101)<br />
(103)<br />
(102)<br />
Chapitre VI : Caractérisation structurale, morphologiques, optiques et électriques <strong>de</strong>s<br />
couches minces élaborées<br />
400°C<br />
450°C<br />
550°C<br />
SiO 2<br />
SiO 2<br />
(200) (201)<br />
30 40 50 60 70 80<br />
2 (°)<br />
Fig. 4.1. Diagrammes DRX <strong>de</strong>s couches minces <strong>de</strong> ZnO non<br />
dopées recuites à 400 °C, 450 °C et 550 °C<br />
2) ZnO:Al (1%)<br />
Les spectres montrent <strong>de</strong>s pics d’aluminium (Al) et d’Al 2 O 3 (saphir) <strong>de</strong> très faible<br />
intensité. Ce résultat indique la présence d’Al dans les couches élaborées.<br />
400°C<br />
450°C<br />
550°C<br />
500°C<br />
Al<br />
Al 2<br />
O 3<br />
Al 2<br />
O 3<br />
Al 2<br />
O 3<br />
SiO 2<br />
Al 2<br />
O 3<br />
30 40 50 60 70 80<br />
2 (°)<br />
Fig. 4.2. Diagrammes DRX <strong>de</strong>s couches minces <strong>de</strong> ZnO<br />
dopées 1% Al recuites à 400 °C, 450 °C, 500 °C et 550 °C.<br />
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