MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif

Chapitre III : Elaboration des échantillons et techniques de caractérisation utilisées
courant est appliqué entre deux points consécutifs (I 12 ) et la tension mesurée entre les deux
autres points (V 43 ) tel que la figure le montre.
Fig.3.10. Schéma de mesure de la méthode de Van der Pauw
La résistance carrée est alors donnée par :
(3.5)
Où : et et est un facteur de correction compris entre 0
et 1.
Il suffit ensuite d’utiliser l’équation (1) pour déterminer la résistivité.
III.2.6. La mesure par effet Hall [52]
Cette méthode est complémentaire à la méthode de Van Der Pauw, elle permet de
mesurer directement la concentration des porteurs de charge (N H ) et la mobilité .
Le principe physique de base sur lequel repose l’effet Hall est la force de Lorentz.
Quand un électron se déplace, sous l’effet d’un champ électrique, dans une direction
perpendiculaire à un champ magnétique
appliqué, il subit une force perpendiculaire au
plan formé par sa trajectoire et
. Pour un semiconducteur de type n, les porteurs de charge
sont principalement des électrons qui ont une densité N H . Prenons un semiconducteur de
forme rectangulaire, comme illustré à la Figure (3.11). Un courant I circule le long de l’axe x
de droite à gauche, en la présence d’un champ magnétique
orienté selon la direction z. Les
électrons, subissant la force de Lorentz, s’écartent de la ligne de courant, selon la direction y.
Cette dérive des électrons provoque un excès de charges sur le côté de l’échantillon, induisant
une chute de potentiel entre les deux côtés de l’échantillon. Cette chute de potentiel est
appelée la tension de Hall (V H ), et son amplitude est donnée par l’équation (3.6):
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