MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif

Chapitre I : propriétés de ZnO
Z.C. Jin et al [30] ont constaté une diminution de la concentration d’oxygène avec
l’augmentation du taux de dopage en aluminium. Il a expliqué ce phénomène par
l’incorporation de l’aluminium en position interstitielle. Pour les couches de ZnO non dopeés,
la conductivité est dominée par les électrons générés par les lacunes d’oxygène et des atomes
de zinc interstitiels. Par contre, la couche d’oxyde de zinc dopée en aluminium, la faible
résistivité et le gap optique sont contrôlables par le niveau de dopage en aluminium [16].
I.2.2.4. La Résistivité
La détermination de la résistivité est une étape importante dans la caractérisation
électrique des matériaux. Les chercheurs [11, 12, 32, 34, 35] ont montrés que dans le cas des
semiconducteurs, la résistivité est influencée par plusieurs paramètres tels que la température
de recuit des échantillons et le taux de dopage.
M. Sahal [36] a étudié la variation de la résistivité des films de ZnO:Al en fonction de
la concentration du dopant (Al) (figure 1.5).
Il a remarqué que la résistivité des échantillons diminue avec l’augmentation de la
concentration du dopant aluminium et atteint sa valeur minimale de à une
concentration de 2% d’aluminium, ensuite elle augmente de nouveau.
Fig.1.5. Résistivité électrique des films de ZnO :Al en fonction de la concentration du
dopant (Al) [36].
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