MEMOIRE MAGISTER - Université Ferhat Abbas de Sétif

(103)
Intensité (u.a)
(110)
(200)
(101)
(002)
(201)
(102)
(100)
Chapitre VI : Caractérisation structurale, morphologiques, optiques et électriques des
couches minces élaborées
6) ZnO:Al (5%)
L’intensité des pics est plus petite par rapport aux autres concentrations résultat de la
destruction de la cristallinité pour le dopage avec 5% en Al. Aussi, l’augmentation de la
température de recuit favorise cette destruction. On remarque également que le nombre de
pics d’Aluminium est important à cause de l’augmentation du taux de dopage.
400°C
450°C
550°C
500°C
Al 2
O 3
Al
Al
Al 2
O 3
Al
Al 2
O 3
Al 2
O 3
Al
Conclusion
30 40 50 60 70 80
2 (°)
Fig. 4.6. Diagrammes DRX des couches minces de ZnO
dopées 5% Al recuites à 400 °C, 450 °C, 500°C et 550 °C.
Cette étude nous a permis de conclure que la température optimale de recuit est 550 °C
et la qualité cristalline de la couche commence à se dégrader à partir de 4%.
IV.1.2. Effet de la concentration du dopant sur la structure cristalline
Les figures 4.7 à 4.10 représentent les diagrammes de diffraction des RX sur des
couches minces de ZnO dopées avec une concentration massique x d’aluminium (x=0, 1, 2, 3,
4 et 5). Chaque figure représente les spectres pour les différentes concentrations à une
température de recuit fixe.
Nous remarquons que tous les diagrammes présentent des pics dans les positions
correspondantes aux plans (100), (002), (101), (102), (110), (103), (200) et (201), ce qui
témoigne de la structure hexagonale de type wurtzite pour toutes les couches élaborées. Il est
remarquable aussi que l’intensité des pics augmente avec l’augmentation de la concentration
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