utbredning, lakvattenspridning och påverkan på omgivning - Sysav

lågpolariserat material (låg uppladdningsförmåga). Markens övre delar har resistiviteter mellan 200
och 400 Ωm och består sannolikt av sandig morän, vilket stöds av sticksondering i området. Därunder
återfinns ett lager med lägre resistivitet, runt 100 Ωm. Det underliggande lagret tolkas också vara
sandig morän, men vattenmättad.
Nivå 90 m ö h och djupare längs hela profilen utgörs av högre resistiviteter. Den västra halvan har
resistiviteter >2000 Ωm och den östra runt 1000 Ωm. Då det inte finns borrdata att tillgå på dessa djup
är det svårt tolka. Det kan vara sandsten, men det kan också vara hårt kompakterad sandig morän.
Eftersom det går en förkastningszon i området, skulle det även kunna vara gnejs i vissa delar. Utifrån
IP-sektionerna kan ingen motsvarande information erhållas.
9.1.2 Profil 8
Figur 9:2 visar den 2D-inverterade resistivitetssektionen (a), IP-sektionen (b) samt normaliserade IPsektionen
(c) för profil 8. Elektrodavståndet är 5 m och IP-sektionerna utgörs av det första tidsfönstret
(10-110 ms efter att strömmen brutits). Profilens läge redovisas i figur 6:2.
Profil 8 stämmer i princip väl överens med utseendet för profil 1. IP-sektionen visar på hög
uppladdningsförmåga mellan 90 och 240 m, på den normaliserade IP-sektionen syns det ännu
tydligare. Detta stämmer väl överens med deponins utbredning enligt tolkningen för profil 1.
Underytan är mycket bättre avgränsad i IP-sektionen här än den var profil 1. Den är belägen ca 95 m ö
h, vilket sammanfaller väl med resistivitetssektionen och även överensstämmer med tolkningen utifrån
resistivitetssektionen och den normaliserade IP-sektionen för profil 1.
Det förmodade täckskiktet är inte lika väl avgränsat i IP-sektionen som det var i profil 1 (med kortare
elektrodavstånd). Dock syns fortfarande att täckskiktet mitt uppe på deponin utgörs av finare material
samt har större mäktighet. Utåt kanterna är det tunnare och består av grövre material. Täckskiktets
förmodade avgränsning definieras ännu tydligare i den normaliserade IP-sektionen, däremot är
materialförändringar svårare att tolka in.
Det lågresistiva området 75 m in på resistivitetssektionen härrör sannolikt från VA-ledningen enligt
primärkartan i figur 6:2. Området har ingen lika klar motsvarighet på IP-sektionen, dock finns här ett
område med något högre uppladdningsförmåga (30-40 mV/V) jämfört med omgivningen. På den
normaliserade IP-sektionen är den förmodade VA-ledningen klart avgränsad och ligger på ca 90 m
djup.
Det lilla området med låga resistiviteter (< 25 Ωm) runt 40 m är mer oklart. IP-sektionen visar på
material med låg IP-effekt, medan det i den normaliserade IP-sektionen finns ett litet distinkt område
med hög normaliserad uppladdningsförmåga. Det skulle kunna tyda på att det handlar om en lerlins.
Profil 2 (se bilaga 2) korsar här och uppvisar också lägre resistivteter, dock inte så låga som i profil 8.
I övrigt skiljer sig profil 8 i stort sett inte från profil 1.
9.1.3 Profil 10
Figur 9:3 visar den 2D-inverterade resistivitetssektionen (a), IP-sektionen (b) samt normaliserade IPsektionen
(c) för profil 10. Elektrodavståndet är 5m och IP-sektionen utgörs av det första tidsfönstret
(10-110 ms efter att strömmen brutits). Profilens läge redovisas i figur 6:2.
Det fanns misstankar om att paddocken eventuellt delvis låg på deponin. Längs profil 10 är paddocken
inmätt mellan 56-116 m. På IP-sektionen (även normaliserade) syns tydligt att material med högre
uppladdningsförmåga (>60mV/V) återfinns under paddockens nordöstra hörn, 110 m in på profilen.
Med stor sannolikhet orsakas IP-effekten av avfall. I resistivitetssektionen återfinns dessutom låga
resistiviteter som sammanfaller väl med den höga IP-effekten. Detta förstärker misstankarna om att
- 48 -