12.07.2015 Views

n - Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ" - Національний ...

n - Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ" - Національний ...

n - Науково-технічна бібліотека НТУ "ХПІ" - Національний ...

SHOW MORE
SHOW LESS

You also want an ePaper? Increase the reach of your titles

YUMPU automatically turns print PDFs into web optimized ePapers that Google loves.

ные прослойки между зернами наполнителя.Спекание тугоплавких порошков SiC и Si 3 N 4 зависит от характера физико-химическихпроцессов взаимодействия компонентов шихт и температурытермообработки. Характер расплава, появляющегося при ГП, и температураего образования влияют на уплотнение материала. Обеспечение достаточногопластического течения при ГП и образование расплава при более низкихтемпературах способствует не только лучшему уплотнению материала, но иснижает энергозатраты на этот процесс. Образование расплава при другихвидах формования и спекания SiC и Si 3 N 4 материалов не только улучшаетспекание, снижает температуру спекания, но является толчком к синтезу нитевидныхкристаллов SiC и Si 3 N 4 в матрицах [4]. Источником наноразмерныхчастиц и волокон могут быть наноразмерные углеродные прекурсоры.Их появлению может способствовать модификация порошков тугоплавкихсоединений SiC и Si 3 N 4 элементоорганическими веществами, при механохимическихпревращениях которых возникают радикалы (-СН 3 ), являющиесяисточником атомарного углерода.В связи с тем, что при модифицировании порошков тугоплавких соединений(Al 2 O 3 , графита, SiC, Si 3 N 4, B 4 C и др.) в процессе механоактивации наблюдалисинтез β-SiC [5] из алкоксида кремния (ТЭОС) и этилсиликата(ЭТС-32), важно было определить, какие фазы SiO 2 начинают кристаллизоватьсяиз аморфного кремнезема этой кремнеорганики и при каких условиях,предположить какие же структуры в большей степени благоприятны для образованияклатратов (соединений внедрения) радикалов (-СН 3 ) в SiO 2, какаямодификация SiO 2 более благоприятна в качестве нанореактора.Механохимическая обработка порошков тугоплавких соединений с участиемалкоксида кремния или этилсиликата ЭТС-32 представляет интереспотому, что она сопровождается повышением давления и температуры в результатемеханодеструкции исходных модифицирующих веществ – алкоксидакремния или ЭТС-32 – и продуктов их превращения.Механодеструкция высокомолекулярных веществ подобных нашим модификаторамсопровождается разрывом межатомных связей по свободнорадикальномумеханизму [6]. Исследованиия [3] показали, что образовавшиесярадикалы (-СН 3 ) при механодеструкции алкоксида кремния и этилсиликатаявляются источником атомарного углерода для низкотемпературногосинтеза наноразмерного β-SiC, так как в результате рекомбинации этого радикалаобразуется атомарный углерод по реакции:39

Hooray! Your file is uploaded and ready to be published.

Saved successfully!

Ooh no, something went wrong!