NSC95-EPA-Z-033-002

2-2-2 全 氟 化 物 之 應 用全 氟 化 物 一 般 廣 泛 使 用 於 火 焰 抑 制 劑 ( fire suppressants ) 【13~14】 和 化 學 滅 火 劑( chemical extinguisher )。全 氟 化 物 之 主 要 排 放 來 源 則 為 :(1) 製 鋁 工 業 ( aluminum industry )、(2) 電 子 工 業( electric industry )、(3) 半 導 體 工 業 ( semiconductor industry )。 其 中 , 半 導 體 業 由 於 使用 之 PFCs 氣 體 純 度 要 求 極 高 ( 99.995 ~ 99.99999 % ), 而 且 製 程 中 氣 體 之 利 用 效 率 亦 不甚 佳 ( 一 般 在 40 % 以 下 ), 如 果 製 程 尾 氣 無 一 合 適 之 空 氣 污 染 控 制 設 備 加 以 處 理 , 則 逸散 至 大 氣 中 之 高 濃 度 PFCs 氣 體 將 對 環 境 造 成 衝 擊 ; 因 此 , 如 何 有 效 降 低 半 導 體 業 PFCs氣 體 所 造 成 之 溫 室 效 應 影 響 , 為 本 研 究 之 範 疇 。一 般 半 導 體 工 業 中 , 在 其 單 元 製 程 有 使 用 化 學 氣 相 沉 積 技 術 鍍 膜 , 將 反 應 氣 體 經電 子 解 離 後 沉 積 薄 膜 於 基 材 上 , 故 對 於 成 長 於 腔 體 上 之 沉 積 物 , 需 利 用 PFCs 氣 體 作為 腔 體 清 洗 ( chamber clean ) 之 用 途 ; 而 在 電 漿 蝕 刻 製 程 上 亦 多 使 用 到 PFCs 氣 體 ; 表2-4 列 出 不 同 蝕 刻 製 程 ( metal etch、polysilicon etch 及 oxide etch ) 以 及 不 同 CVD 製 程( silicon CVD、silicon oxide CVD 及 nitride oxide CVD ) 其 PFCs 氣 體 的 使 用 種 類 及 流 量大 小 範 圍 【15】。化 學 氣 相 沈 積 腔 體 之 清 洗 及 電 漿 蝕 刻 製 程 所 排 放 出 之 尾 氣 組 成 相 當 複 雜 , 除 了 未利 用 之 PFCs 氣 體 排 出 外 , 經 過 電 漿 分 解 後 之 N、C、S 等 原 子 可 能 於 製 程 中 與 所 添加 之 其 他 氣 體 如 氧 氣 、 氫 氣 或 矽 晶 片 反 應 而 形 成 其 他 產 物 , 例 如 (NH 4 ) 2 SiF 6 、HF、(SiH 2 NH) n 、NO 2 、C 2 F 4 、CF 4 、SiF 4 、COF 2 及 SiH 4 等 氣 體 。6