NSC95-EPA-Z-033-002

Absorbance0.40.30.20.10.0500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 40000.40.30.20.1PECVD 200 W (with Si wafer )SF 6SF 6 SiF 4SF 6SOF 2SF 6SOF 2SiF 4 SO 2F 2PECVD 200 W & Torch 1800 W(with Si wafer )0.0500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000Wavenumber (cm-1)( 圖 4-13 ) PECVD 加 入 矽 晶 片 與 PECVD 連 接 Torch 之 FTIR 圖 譜(N 2 =35 slm, SF 6 =50 sccm , Torch 系 統 加 入 50 sccm O 2 )PECVD 模 擬 蝕 刻 程 序 並 利 用 電 漿 火 炬 削 減 , 其 結 果 如 表 4-1 所 示 。 由 圖 4-11 可發 現 單 純 由 PECVD( 200 W) 進 行 削 減 的 效 果 非 常 差 ; 但 表 4-11 結 果 顯 示 , 加 入 Si 晶片 後 , 對 SF 6 的 轉 化 效 果 有 顯 著 的 提 升 , 由 此 可 知 SF 6 經 由 PECVD 解 離 , 但 是 結 離後 的 SF X 自 由 基 會 於 反 應 腔 體 或 是 管 線 末 端 進 行 再 結 合 , 導 致 轉 化 效 果 降 低 ; 當 加 入Si 晶 片 後 , 解 離 出 的 F 會 對 晶 片 進 行 蝕 刻 , 並 結 合 生 成 揮 發 性 產 物 SiF 4 , 加 入 Si 晶片 可 以 避 免 SF x 與 F 自 由 基 在 腔 體 內 進 行 較 多 的 碰 撞 , 達 到 抑 制 再 結 合 的 效 果 。 本 研究 進 一 步 將 PECVD 之 蝕 刻 模 儗 產 物 通 入 電 漿 火 炬 進 行 削 減 , 由 表 4-1 可 發 現 電 漿 火炬 加 入 氧 氣 的 效 果 較 未 添 加 氧 氣 提 升 約 20%, 其 原 因 主 要 為 加 入 氧 氣 可 與 SF X 自 由基 進 行 反 應 , 生 成 SO x F y 產 物 , 降 低 再 結 合 反 應 的 碰 撞 機 率 。電 漿 火 炬 處 理 PECVD 模 擬 蝕 刻 之 尾 氣 於 本 研 究 中 , 可 藉 由 調 整 微 波 功 率 使 整 體轉 化 效 果 達 90% 以 上 ( 1800 W 時 ), 圖 4-7 結 果 顯 示 單 純 使 用 電 漿 火 炬 處 理 SF 6 時 ,僅 需 1200 W 即 可 使 轉 化 效 果 達 90% 以 上 , 其 原 因 為 ,PECVD 之 尾 氣 經 由 dry pump34