NSC95-EPA-Z-033-002

(C) TFAA ( Trifluoroacetic Anhydride )TFAA 之 沸 點 為 39℃, 其 化 學 式 為 (COCF 3 ) 2 O, 為 一 低 毒 性 、 不 可 燃 之 化 學 物 。Pruette 學 者 利 用 Novellus 公 司 生 產 之 CVD 機 檯 ( Concept One 200 ) 測 試 TFAA 於 機 檯 清洗 時 , 對 於 溫 室 效 應 的 削 減 效 果 , 結 果 顯 示 TFAA 於 電 漿 系 統 中 之 利 用 率 可 達 97 %,並 在 相 同 測 試 條 件 下 比 較 C 2 F 6 與 TFAA 對 MMTCE 之 貢 獻 度 , 如 以 C 2 F 6 為 清 洗 氣 體 時其 MMTCE 為 58, 清 洗 時 間 為 370 秒 , 若 使 用 TFAA 則 可 降 低 MMTCE 至 9.6, 清 洗 時 間亦 縮 短 至 340 秒 , 對 於 縮 短 機 檯 清 洗 時 間 及 降 低 溫 室 效 應 皆 有 良 好 之 效 果 【18】, 不過 由 於 室 溫 下 之 TFAA 為 液 態 , 通 入 機 檯 內 清 洗 時 需 加 熱 至 其 沸 點 以 上 , 並 應 該 避 免TFAA 於 輸 送 過 程 中 再 次 凝 結 於 管 線 內 。(D) CF 3 ICF 3 I 之 沸 點 為 -22.4℃, 常 溫 下 為 氣 態 。 碘 氟 化 物 ( Iodofluorocarbon,IFC ) 其 I-F鍵 結 相 較 於 C-F 鍵 弱 , 具 有 較 高 之 化 學 活 性 , 因 此 對 於 蝕 刻 或 CVD 腔 體 清 洗 之 效 率 有提 升 之 助 益 ; 且 CF 3 I 容 易 於 大 氣 中 光 解 ( GWP 小 於 5 ), 所 以 與 PFCs 氣 體 相 較 之 下 對 於溫 室 效 應 之 影 響 甚 小 。Misra 學 者 利 用 CF 3 I 為 蝕 刻 氣 體 進 行 介 電 薄 膜 之 電 漿 蝕 刻( plasma etch ), 分 別 探 討 RF 輸 入 功 率 、 蝕 刻 氣 體 流 量 、 反 應 腔 體 壓 力 及 CF 3 I/O 2 配 比對 於 氧 化 矽 ( silicon oxide) 及 氮 化 矽 ( silicon nitride ) 薄 膜 之 蝕 刻 速 率 的 影 響 ; 並 進 一 步與 C 2 F 6 /O 2 蝕 刻 氣 體 作 比 較 【19】。Misra 學 者 於 1998 年 進 一 步 發 表 使 用 CF 3 I 為 反 應 氣體 混 合 N 2 O、NH 3 或 N 2 , 針 對 二 乙 基 矽 烷 ( Diethysilane ) 進 行 蝕 刻 氧 化 矽 ( silicon oxide)及 氮 化 矽 ( silicon nitride ) 之 薄 膜 , 於 最 佳 操 作 條 件 :CF 3 I/O 2 = 70/30、 系 統 壓 力 250mTorr、RF 輸 入 功 率 1500 W 及 CF 3 I 流 量 50 sccm 時 可 得 最 佳 之 利 用 效 率 68%【Misra,1998】。Samukawa 學 者 使 用 新 的 碳 氟 氣 體 CF 3 I/C 2 F 4 , 並 利 用 超 高 頻 率 (UHF) 電 漿 源設 計 搭 配 電 漿 診 斷 儀 器 ( MS、OES、LP ) 進 行 二 氧 化 矽 (SiO 2 ) 之 蝕 刻 製 成 之 研 究 探 討 ,尋 求 較 佳 之 操 作 條 件 下 之 CF 3 、CF 2 自 由 基 之 選 擇 性 【20】。Karecki 學 者 亦 曾 評 估 以碘 氟 化 物 取 代 PFCs 之 可 行 性 , 研 究 證 實 以 CF 3 I 進 行 蝕 刻 製 程 具 有 40% 之 蝕 刻 效 率【21】。9